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IRFR4104TRPBF場效應管參數-IRFR4104TRPBFMOS管

一、產品特征IRFR4104TRPBF場效應管是一款N溝道MOSFET，具有出色的性能和可靠性。其在市場上擁有穩(wěn)固的地位，被廣泛應用于各種電子元件領域。IRFR4104TRPBF在電源管理、電機控制、逆變器等方面發(fā)揮著重要作用，為電子產品的性能提升和功耗優(yōu)化做出了重要貢獻。二、技術規(guī)格參數IRFR4104TRPBF的關鍵技術參數為：N溝道漏源電壓（Vdss）為40V，連續(xù)漏極電流（Id）為85A，導通電阻（RDS(on)）在10V下為5mΩ，85A。這些參數表明了IRFR4104TRPBF在高電流、低電壓下的出色性能。此外，IRFR4104TRPBF采用 ...

2024

04-22

FDS4685-NL場效應管參數-FDS4685-NLMOS管

一、產品特征FDS4685-NL場效應管是一種P溝道MOSFET，具有出色的特性和重要的市場地位。作為電子元件領域中的關鍵組成部分，它在各種電子設備中發(fā)揮著重要作用。FDS4685-NL以其穩(wěn)定性、高性能和可靠性而聞名，是方案工程師、技術人員和制造企業(yè)采購人員理想的選擇。二、技術規(guī)格參數FDS4685-NL參數如下：P溝道漏源電壓(Vdss)為40V，連續(xù)漏極電流(Id)為16.1A，導通電阻(RDS(on))為10mΩ@10V, 16.1A。這些參數直觀地展示了FDS4685-NL的性能特點，為其在電子元件領域中的廣泛應用提供了可靠保障。三 ...

2024

04-19

FQD13N10TM場效應管參數-FQD13N10TMMOS管

一、產品特征FQD13N10TM場效應管做為電子元件領域的重要組成部分，在市場中占有重要地位。其基本特性和穩(wěn)定性在各類電子設備中得到廣泛應用。FQD13N10TM因其穩(wěn)定性和特性而著稱，被稱作電子產業(yè)不可或缺的一部分。二、技術規(guī)格參數FQD13N10TM參數詳細解讀如下：該器件為N溝道場效應管，具有最大漏源電壓(Vds)為100V，最大漏極電流(Id)為18A，導通電阻(RDS(ON))為115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V，最大柵極-源極電壓(Vgs)為±20V，閾值電壓(Vth)為1.6V。采用TO252封裝，具有良好的散熱性能和穩(wěn)定性，適用于 ...

2024

04-19

AO4453場效應管參數-AO4453MOS管

一、產品特征AO4453場效應管作為電子元件領域的重要組成部分，其基本特性在市場上具有重要地位。AO4453以其優(yōu)異的性能和可靠性聞名于業(yè)內，被廣泛應用于各類電子設備中。其穩(wěn)定的工作性能和高效能力使其備受市場青睞。二、技術規(guī)格參數AO4453參數詳細解讀如下：AO4453是一款P溝道場效應管，具有漏源電壓(Vdss)為12V，連續(xù)漏極電流(Id)為16A，功率(Pd)為3W，導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為5mΩ@4.5V,14A。這些參數直觀地展示了AO4453的性能指標，使其在各種應用場景下都能表現(xiàn)出色。三、工作原理及應用1.& ...

2024

04-19

HM3401PR場效應管參數-HM3401PRMOS管

一、產品特征HM3401PR場效應管是一種在電子元件領域中具有重要地位的關鍵器件。其基本特性包括P溝道類型、30V的漏源電壓（Vdss）、7.6A的連續(xù)漏極電流（Id），以及50mΩ@10V, 7.6A的導通電阻（RDS(on)@Vgs,Id）。HM3401PR在市場上擁有穩(wěn)固的地位，被廣泛應用于各種電子產品中，為電路設計提供了重要支持。二、技術規(guī)格參數HM3401PR參數的詳細解讀如下：它是一種P溝道型MOS管，具有30V的漏源電壓（Vdss），可持續(xù)承受7.6A的漏極電流（Id），并在10V的門源電壓下具有50mΩ的導通電阻（RDS(on)）。這些參 ...

2024

04-19

IRFR15N20DTRPBF場效應管參數-IRFR15N20DTRPBFMOS管

一、產品特征IRFR15N20DTRPBF場效應管作為一種重要的電子元件，在電子領域發(fā)揮著重要意義。其基本特點包含優(yōu)質的特征、可靠的品質以及廣泛應用范疇。IRFR15N20DTRPBF場效應管在市場中很受歡迎，是方案工程師、技術人員以及制造企業(yè)買家優(yōu)選之一。他在電子元件領域的重要性不言而喻，在當代電子產品設計制造中發(fā)揮著很重要的作用。二、技術規(guī)格參數IRFR15N20DTRPBF場效應管具有一系列優(yōu)秀的技術參數，使其在眾多應用場景中表現(xiàn)出色。作為一款N溝道MOS管，其漏源電壓(Vdss)可達200V，連續(xù)漏極電流(Id)高達30A。這些優(yōu)秀的技術參數為I ...

2024

04-19

IRFR4620TRPBF場效應管參數-IRFR4620TRPBFMOS管

一、產品特征IRFR4620TRPBF場效應管作為電子元件領域中的重要組成部分，具有獨特的特性和廣泛的應用場景。其在市場上擁有穩(wěn)固的地位，深受方案工程師、技術人員以及制造企業(yè)采購的青睞。IRFR4620TRPBF在電子元件領域中扮演著重要的角色，其穩(wěn)定性、可靠性以及多功能性是其在市場上備受追捧的原因之一。二、技術規(guī)格參數IRFR4620TRPBF作為一款N溝道場效應管，具有一系列優(yōu)秀的技術參數。其漏源電壓(Vdss)達到200V，連續(xù)漏極電流(Id)高達30A，導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)僅為55mΩ@10V,30A。這些參數的優(yōu)秀表現(xiàn)使得I ...

2024

04-19

LR024N場效應管參數-LR024NMOS管

一、產品特征LR024N場效應管做為電子元件領域的重要組成部分，擁有獨特的特征和普遍的使用場景。它在市場上擁有扎實的地位，遭受方案工程師、技術人員以及制造和采購的歡迎。LR024N在電子元件領域起著重要作用，其穩(wěn)定性、穩(wěn)定性和多功能化是市場上時興的原因之一。二、技術規(guī)格參數LR024N作為一款N溝道場效應管，具有一系列優(yōu)秀的技術參數。其漏源電壓(Vdss)達到60V，連續(xù)漏極電流(Id)高達18.2A，導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)僅為73mΩ@10V,18.2A。這些參數的優(yōu)秀表現(xiàn)使得LR024N在各種電子應用中得到廣泛的應用。從技術參數上來 ...

2024

04-19

ZXMC4559DN8TA場效應管參數-ZXMC4559DN8TAMOS管

一、產品特征在本段落中，我們將簡要介紹ZXMC4559DN8TA場效應管的基本特性、市場地位以及其在電子元件領域中的重要性。ZXMC4559DN8TA作為一款高性能MOS管，具有優(yōu)異的電氣特性和廣泛的應用領域，深受方案工程師、技術人員以及制造企業(yè)采購的青睞。二、技術規(guī)格參數在這一部分，我們將詳細解讀ZXMC4559DN8TA的技術參數，包括其N溝道和P溝道的特性、漏源電壓、連續(xù)漏極電流以及導通電阻等。通過深入了解這些技術參數，讀者可以更好地理解ZXMC4559DN8TA的性能特點，為實際應用提供參考依據。三、工作原理及應用1. 工作 ...

2024

04-18

IRF7210TRPBF場效應管參數-IRF7210TRPBFMOS管

一、產品特征IRF7210TRPBF場效應管是電子元件領域中備受矚目的一員。其基本特性和市場地位使其成為電子工程師、技術人員和制造企業(yè)采購的首選之一。IRF7210TRPBF在電子元件領域中的重要性不言而喻，其可靠性和性能優(yōu)勢讓其成為各種電子產品設計中的重要組成部分。二、技術規(guī)格參數IRF7210TRPBF的參數包括P溝道，漏源電壓(Vdss)：-12V，連續(xù)漏極電流(Id)：-16A，導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@-4.5V。這些技術參數的詳細解讀不僅有助于了解IRF7210TRPBF的性能特點，還能為實際應用提供重要參考依據。&n ...

2024

04-18

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IRFR4104TRPBF場效應管參數-IRFR4104TRPBFMOS管

FDS4685-NL場效應管參數-FDS4685-NLMOS管

FQD13N10TM場效應管參數-FQD13N10TMMOS管

AO4453場效應管參數-AO4453MOS管

HM3401PR場效應管參數-HM3401PRMOS管

IRFR15N20DTRPBF場效應管參數-IRFR15N20DTRPBFMOS管

IRFR4620TRPBF場效應管參數-IRFR4620TRPBFMOS管

LR024N場效應管參數-LR024NMOS管

ZXMC4559DN8TA場效應管參數-ZXMC4559DN8TAMOS管

IRF7210TRPBF場效應管參數-IRF7210TRPBFMOS管