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SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝技術(shù)，額定電壓100V，具備5A大電流處理能力。擁有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)合，提供高效能與穩(wěn)定的功率控制解決方案。

9926A

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，內(nèi)置雙N溝道設(shè)計(jì)，專為優(yōu)化電源管理打造。額定電壓20V，最大連續(xù)電流6A，適用于各類中低電壓、高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。卓越的導(dǎo)通性能與低RDS(ON)，使之成為充電器、LED驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的理想選擇。

HS2198

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，具備40V額定電壓和7.2A高連續(xù)電流處理能力。專為高效雙向電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，適用于多種消費(fèi)電子產(chǎn)品。集成雙極性通道實(shí)現(xiàn)正負(fù)電壓控制，低導(dǎo)通電阻與卓越的開(kāi)關(guān)性能相結(jié)合，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠且節(jié)能。

BSS84AK

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為50V電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，額定電流0.1A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，尤其適用于需要精細(xì)功率控制的場(chǎng)合，如電池保護(hù)、信號(hào)切換等，提供高效穩(wěn)定的半導(dǎo)體解決方案。

NX7002AK

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

NX7002AK是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效、小型化電路設(shè)計(jì)。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其獨(dú)特之處在于具有低至1000mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低系統(tǒng)能耗并提升工作效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域，是您追求高性價(jià)比和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件。

AO3416A

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為20V電壓下中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流高達(dá)6A，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和卓越的熱性能，是現(xiàn)代便攜式電子設(shè)備的理想功率管理組件。

AO3415A

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該P(yáng)溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為20V電壓下的高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流5A，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池保護(hù)和負(fù)載開(kāi)關(guān)控制，具備低導(dǎo)通電阻與優(yōu)良熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想的低電壓功率管理元件。

IRLML6244TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用高效SOT-23封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備6A高連續(xù)電流承載能力。擁有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電設(shè)備、電源管理及各類高性能電子應(yīng)用中，提供穩(wěn)定且節(jié)能的功率轉(zhuǎn)換解決方案。

MX50N03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，具有出色的功率密度。額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)50A，特別適合于緊湊空間內(nèi)的高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)合，提供卓越的性能與可靠性。

SI9945BDY-T1

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此款SOP-8封裝的消費(fèi)級(jí)雙N溝道MOSFET，專為高耐壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，額定電壓60V，連續(xù)通過(guò)電流高達(dá)6.5A。卓越的開(kāi)關(guān)效能與低導(dǎo)通電阻使其成為充電器、電源模塊和高效能電子設(shè)備的理想選擇，確保在各種電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)可靠且節(jié)能的性能表現(xiàn)。

AO3400

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，具有高效能N溝道設(shè)計(jì)，額定電壓30V，最大連續(xù)電流5.8A，適用于各類電源轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合，以其卓越的性能與小巧體積，為電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的功率管理方案。

AO4612

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為處理60V電壓下的正負(fù)極性切換而設(shè)計(jì)，提供5A連續(xù)電流能力。適用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域，具有雙通道結(jié)構(gòu)和優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，確保低導(dǎo)通電阻與高效能運(yùn)作，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率控制組件。

IRFB4410ZPBF

TO-220

MXsemi

晶體管

50個(gè)/圓盤

這款TO-220封裝的N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET，專為處理高電壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。額定電壓100V，能承載70A連續(xù)電流，適合于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類高壓負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用，提供低導(dǎo)通電阻和卓越的散熱性能，是構(gòu)建高效能電子系統(tǒng)時(shí)的理想功率半導(dǎo)體器件。

HT7202

TOLL

MXsemi

晶體管

2000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用大電流封裝TOLL，具備80V的額定電壓和高達(dá)400A的連續(xù)電流處理能力，專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及大型負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景

BSC098N10NS5

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具備卓越的散熱性能。額定電壓100V，連續(xù)電流高達(dá)80A，特別適用于空間受限且需高效能電源轉(zhuǎn)換、大電流負(fù)載控制及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)合，提供強(qiáng)大的功率處理能力和高可靠性。

AON7430

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，體積小巧且高效能，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)30A。適用于空間有限的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供緊湊、高功率密度的半導(dǎo)體解決方案。

MX70N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)70A。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)，憑借其卓越的功率密度與散熱性能，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高電流處理能力的需求。

MX20P06DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流高達(dá)20A。專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，提供卓越的能效比與空間利用率。

STD20NF06L

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

型號(hào)STD20NF06L的N溝道MOS管，選用經(jīng)典的TO-252-2L封裝形式，適合各類電路設(shè)計(jì)需求。該器件具備60V的高額定電壓VDSS和20A的強(qiáng)大電流承載能力，可在高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為27mΩ，有效提升功率轉(zhuǎn)換效率，降低功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高頻開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，是您實(shí)現(xiàn)高效能電子設(shè)備設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元器件。

MX20N10D

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓100V，峰值電流可達(dá)20A，適用于高功率電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，提供高效能、低損耗的開(kāi)關(guān)控制功能。

IRLML6401

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供高達(dá)5A的連續(xù)電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中的高效功率控制與切換需求。

MX2305AI

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為20V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供5A大電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定可靠的功率控制。

MX3400MI

SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，適用于30V電壓系統(tǒng)，額定電流高達(dá)5.8A。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，為電子設(shè)備提供高效、穩(wěn)定的功率控制解決方案。

BSS138K

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為50V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供精細(xì)的0.2A電流控制。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、智能設(shè)備及各類小電流電子應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)高效且精確的功率管理。

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