場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23小型封裝，專為50V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，額定電流0.2A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，尤其適用于電池保護(hù)、信號(hào)切換等低功耗應(yīng)用，提供精準(zhǔn)高效的功率控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，集成雙通道技術(shù)，額定電壓30V，最大連續(xù)電流16A。專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載管理與電池系統(tǒng)控制，提供高效能、緊湊型的半導(dǎo)體解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備6A大電流處理能力。具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中，提供高效穩(wěn)定的功率控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于50V電壓系統(tǒng)，額定電流為0.1A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，特別適合于電池保護(hù)、信號(hào)切換等低功耗應(yīng)用場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)可靠的功率控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為18V電壓系統(tǒng)打造，具備7A強(qiáng)大電流處理能力。憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)合，實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，額定電流高達(dá)3A。具備優(yōu)越的低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用經(jīng)典TO-220F封裝，額定電壓高達(dá)650V，可承受10A連續(xù)電流，適用于高電壓、大電流電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制等應(yīng)用，提供穩(wěn)定可靠的高性能開關(guān)解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-220封裝，專為處理100V高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流高達(dá)60A，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和高效散熱能力，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高功率密度與能效控制的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，集成雙通道設(shè)計(jì)，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)8.5A。專為高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載平衡及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，提供緊湊、高能效的半導(dǎo)體解決方案，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品多通道控制需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2323DS-T1-GE3是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代微小電子設(shè)備設(shè)計(jì)。主要參數(shù)包括最大工作電壓VDSS為20V，能穩(wěn)定傳輸5A的漏極電流；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為30mΩ，有效降低能耗，提高系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用在電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域，是您追求高集成度與節(jié)能效果的理想MOS管選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，提供2.3A電流承載能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及電子設(shè)備的功率控制模塊中，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路管理。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于50V電壓系統(tǒng)，額定電流0.1A。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，特別適合于電池保護(hù)、信號(hào)切換等精細(xì)控制場(chǎng)景，提供精準(zhǔn)且高效的功率管理解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，額定電壓為20V，可承載高達(dá)2.3A的連續(xù)電流。專為充電器、電源管理及各類高效電子設(shè)備設(shè)計(jì)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)功率控制的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，額定電流3A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能的功率控制與管理。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N+N溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，額定電壓為30V，連續(xù)電流高達(dá)20A。適用于雙通道電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載共享及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)合，憑借小巧尺寸與高效能表現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代電子設(shè)備的緊湊化和節(jié)能需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流高達(dá)10A。專為中等至高耐壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)，以緊湊尺寸實(shí)現(xiàn)卓越能效與可靠性，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品高性能需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23-6L封裝，集成雙N溝道設(shè)計(jì)，額定電壓20V，最大連續(xù)電流高達(dá)6A，特別適合于高效率電源切換和電子設(shè)備管理應(yīng)用。其緊湊結(jié)構(gòu)與卓越性能相結(jié)合，為電路提供雙通道、低損耗的功率控制方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，特別針對(duì)30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備5.3A連續(xù)電流處理能力。雙P溝道配置確保高效能正向?qū)?，適用于電池保護(hù)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用，擁有低導(dǎo)通電阻和快速切換特性，為電子設(shè)備提供可靠高效的功率管理解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SI4936ADY-T1-E3是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用小型化SOP-8封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)提供高效能電流控制解決方案。其關(guān)鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載6A連續(xù)漏極電流，確保強(qiáng)大電力傳輸；25mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您構(gòu)建高集成度與節(jié)能電子產(chǎn)品的理想MOS管選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，內(nèi)置雙N溝道設(shè)計(jì)，額定電壓40V，可承載高達(dá)12A的連續(xù)電流。專為高效電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用打造，具備出色的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，是優(yōu)化系統(tǒng)能效、提升設(shè)備運(yùn)行表現(xiàn)的理想半導(dǎo)體器件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，特別為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓100V，能承載高達(dá)75A連續(xù)電流，適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及大電流開關(guān)場(chǎng)景，提供卓越的導(dǎo)通性能與熱管理效率，是現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備的理想高性能半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓40V，連續(xù)電流可達(dá)50A。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，具備出色的散熱性能與緊湊尺寸，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品理想的小型化、高性能解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型TO-252-2L封裝，額定電壓高達(dá)650V，電流容量為4A。專為在高壓環(huán)境下的消費(fèi)電子設(shè)備設(shè)計(jì)，提供卓越的開關(guān)性能和能效，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，是電源管理應(yīng)用的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SI1032R-T1-GE3是一款高端N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-523封裝設(shè)計(jì)，適用于空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景。器件特點(diǎn)鮮明，具有20V的VDSS電壓，可承載0.8A連續(xù)電流ID，而其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻RD(on)低至180mR，確保了高效能和低功耗運(yùn)行。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、消費(fèi)電子等多種領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能、優(yōu)化能源利用的理想半導(dǎo)體器件選擇。
