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這款GBU封裝的高耐壓整流橋半導體器件，專為大電流、高效能應用場景設計。其核心參數(shù)包括VR最高耐受電壓1000V，確保在嚴苛高壓條件下仍能保持穩(wěn)定運行；VF特性表現(xiàn)為1.1V@8A，在滿載8A電流下仍維持較低電壓降，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率并降低能耗；額定輸出電流IO高達8A，提供強大且持久的電力處理能力。廣泛應用于各類高端電源系統(tǒng)、逆變器及其他需要大電流處理的電子設備中，是提升整體性能與可靠性的優(yōu)質(zhì)之選。
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