三星衝HBM 暗示攜手臺積

                                        南韓科技巨頭三星昨（31）日舉行財報會議，釋出上季半導(dǎo)體業(yè)績不如市場預(yù)期，調(diào)降其晶圓代工資本支出等訊息，僅AI相關(guān)市場發(fā)展與公司布局讓市場驚艷，三星并暗示可能與臺積電在高頻寬記憶體（HBM）協(xié)調(diào)合作，以滿足多家客戶不同需求。

                                        法人指出，目前臺積電高頻寬記憶體最主要合作伙伴為另一家韓國記憶體大廠SK海力士，若三星也加入相關(guān)合作，對臺積電衝刺AI等高速運算事業(yè)將有正面助益，持續(xù)帶旺臺積電營運。

                                        三星昨天公布上季整體營業(yè)利益比去年同期激增277.4%至9.2兆韓元（66.6億美元），略高于本月初初估的9.1兆韓元，營收也成長17.3%至創(chuàng)紀(jì)錄的79.09兆韓元。不過，上季晶片部門營業(yè)利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韓元（28億美元），營收季增3%至29.27兆韓元，皆低于預(yù)期。

                                        三星表示，已從高頻寬記憶體、DDR5及伺服器儲存產(chǎn)品獲得“龐大營收成長”。預(yù)期本季半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)將好轉(zhuǎn)，儘管行動和PC記憶體晶片需求可能疲軟，AI成長將維持需求在熱絡(luò)水準(zhǔn)，預(yù)測消費電子產(chǎn)品市況仍將相當(dāng)平淡，AI和資料中心需求將維持強勁，伺服器記憶體產(chǎn)品需求到明年都將“強勁且穩(wěn)定”，包括AI和傳統(tǒng)伺服器。

                                        三星記憶體事業(yè)主管金在俊表示，將彈性減產(chǎn)部分傳統(tǒng)DRAM和NAND晶片到符合市場需求的水準(zhǔn)，以加速轉(zhuǎn)換到先進制程節(jié)點。

                                        三星預(yù)定下半年開發(fā)并量產(chǎn)HBM4，明年記憶體部門將聚焦于高頻寬記憶體和伺服器固態(tài)硬碟（SSD），暗示可能和臺積電協(xié)調(diào)合作，以滿足多家高頻寬記憶體客戶的不同需求。

                                        三星主管也暗示，HBM3E晶片在贏得輝達（NVIDIA）認證方面“大有進展”，預(yù)期第4季將向客戶銷售。

                                        三星并發(fā)布新聞稿指出，預(yù)料在AI PC和AI應(yīng)用帶動下，明年整體晶圓代工市場將雙位數(shù)成長，但該公司未提供其晶圓代工事業(yè)的成長預(yù)估。

                                        三星在新聞稿提到，晶圓代工業(yè)務(wù)明年寄望成功的2奈米量產(chǎn)來確保主要客戶。 此外，整合先進的制程節(jié)點和先進封裝解決方案以進一步開發(fā)HBM Buffer die（緩衝裸晶）有助獲得人工智慧和高速運算（HPC）新客戶。

                                        三星提到，今年資本支出將比去年略增3.6兆韓元、達56.7兆韓元，晶片資本支出預(yù)料為47.9兆韓元（347億美元），略低于去年，主要是縮減今年晶圓代工資本支出，集中于現(xiàn)有產(chǎn)線的技術(shù)轉(zhuǎn)變。今年記憶體資本支出則將與去年相同，優(yōu)先投入高頻寬記憶體和DDR5等高附加價值產(chǎn)品。

                                         相較下，臺積電今年資本支出將略高于300億美元。彭博資訊指出，三星今年資本支出只略高于臺積電，引人懷疑如何同時在高頻寬記憶體趕上SK海力士、在晶圓代工追趕臺積電。