力積電Q3營收、產(chǎn)能利用率 看升

                                力積電（6770）16日舉行法說會，在銅鑼新廠投產(chǎn)影響毛利率下，第二季虧損持續(xù)較第一季擴(kuò)大，單季每股稅后淨(jìng)損0.47元，累計(jì)上半年每股稅后淨(jìng)損0.58元。該公司發(fā)言人譚仲民表示，第三季營收及產(chǎn)能利用率可望持續(xù)微幅回升，但銅鑼新廠仍將影響第三季毛利率及成本，第三季營收雖可望微幅增加，但單季損益壓力仍較大。

                                展望第三季，在記憶體部分，譚仲民則是進(jìn)一步表示 DRAM呈正向發(fā)展，HBM記憶體強(qiáng)勁，成熟制程價(jià)格朝上但漲幅不明顯，高階產(chǎn)品價(jià)格雖有機(jī)會上漲，但先前跌深、基期仍低之下，毛利率水準(zhǔn)仍在低檔區(qū)。非傳統(tǒng)型標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)品如挖礦機(jī)、邊緣運(yùn)算應(yīng)用需求增加，看到客戶在新產(chǎn)品逐步導(dǎo)入。至于NAND需求方面，目前毛利率不錯(cuò)，而NOR Flash受惠于地緣政治，也有新產(chǎn)品導(dǎo)入，預(yù)期明上半年將貢獻(xiàn)營收。整體來說，力積電對記憶體持樂觀態(tài)度，但漲幅和緩。

                               力積電第二季營收111.23億元、較上季小幅增加3％，與去年同期相比微幅上升1％，單季每股稅后淨(jìng)損0.47元，較首季的每股稅后淨(jìng)損0.11元擴(kuò)大。上半年?duì)I收219.43億元，每股稅后淨(jìng)損0.58元。

                               譚仲民表示，力積電第二季單季虧損，主要受到銅鑼新廠與地震二大因素的影響，其中又以銅鑼新廠效應(yīng)影響成本及毛利率占多數(shù)，使得力積電毛利率由第一季的15.4％，降至第二季的5.3％。

                               他指出，目前銅鑼新廠月產(chǎn)能約8,500片晶圓，估計(jì)損益兩平約需逾2萬片，需待明年市況再決定產(chǎn)能拉升速度。

                               譚仲民表示，目前市場去化庫存逐漸結(jié)束，客戶需求也逐漸回到原有水準(zhǔn)，以產(chǎn)能利用率來看，記憶體代工中以DRAM較好，產(chǎn)能利用率已達(dá)到約9成，估計(jì)第三季12吋晶圓廠的產(chǎn)能利用率也將緩步回升至8成，8吋晶圓廠相對較低，但也將慢慢回升至7成水準(zhǔn)。

                               力積電強(qiáng)調(diào)，3D封裝部分持續(xù)與客戶合作，而受惠平板、手機(jī)需求回升，DDIC感測跟PMIC庫存調(diào)整已進(jìn)入健康狀況，預(yù)估第三季營收及產(chǎn)能用利率將維持微幅成長表現(xiàn)，但由于銅鑼新廠影響成本的效應(yīng)仍將持續(xù)，預(yù)期單季虧轉(zhuǎn)盈仍較辛苦。