魏哲家訪ASML 買祕密武器

                                 臺積電何時採購艾司摩爾（ＡＳＭＬ）最新世代高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）設備引發(fā)關(guān)注，據(jù)了解，臺積電董事長暨總裁魏哲家五月密訪艾司摩爾，已敲定買下艾司摩爾最新代號NXE5000的High-NA EUV設備，并預定秋天進駐臺積電位于新竹的研發(fā)中心第八廠（P8），且敲定將導入用于新一代採用互補式場效電晶體（ＣＦＥＴ）架構(gòu)的一奈米（內(nèi)部稱A10）研發(fā)作業(yè)。

                                 值得一提的是，臺積電也與ＡＳＭＬ達成協(xié)議，原本ＡＳＭＬ統(tǒng)籌在荷蘭總部進行最先進EUV研發(fā)工作，將首度拉到臺灣，進駐臺積電研發(fā)中心；對照同為ＡＳＭＬ供應鏈成員的EUV光源關(guān)鍵零組件蔡司在臺首座創(chuàng)新研發(fā)中心六月中旬落成啟用，預料在面對英特爾和三星兩大強敵威脅下，臺積可望取得壓倒性勝利。

                                 臺積電今天下午舉行法說會，因法說前處于緘默期，無法對公司制程布局做任何評論。但臺積何時導入High-NA EUV一直是法人追蹤焦點，預料隨新戰(zhàn)略布局浮現(xiàn)，將掀起新話題。

                                 ＡＳＭＬ高數(shù)值孔EUV設備，因線寬更精細，可將電路設計曝光在硅晶圓上更清楚，并節(jié)省光罩次數(shù)，成為晶圓三雄英特爾、三星和臺積電下個戰(zhàn)場。英特爾宣布率先導入，并搶先買下第一臺High-NA EUV，計畫用于14A制程；三星電子會長李在鎔去年也飛往荷蘭訪問ＡＳＭＬ，ＡＳＭＬ承諾與三星共同投資七億歐元（約臺幣二五○億元），于南韓首都圈設立開發(fā)新一代EUV設備。相形之下，在ＡＳＭＬ營收占比最高的臺積電顯得謹慎許多。臺積電資深高層曾透露，考量High-NA EUV機臺售價過于昂貴，公司預計在A16制程技術(shù)后的產(chǎn)品再考慮使用。

                                今年五月廿三日，魏哲家缺席自家舉辦的“臺積電技術(shù)論壇”，而是密訪ＡＳＭＬ總部以及德國工業(yè)雷射公司TRUMPF。消息指出，魏哲家此行確實是為了採買ＡＳＭＬ最新款High-NA和NA EUV曝光機，親訪的目的是要談價格，但ＡＳＭＬ并未讓步，但愿意將過去由臺積電派員前去荷蘭總部與ＡＳＭＬ共同研發(fā)的模式，改到臺積電位于新竹的研發(fā)中心。

                                臺積電與ＡＳＭＬ敲定新的合作研發(fā)模式，和ＡＳＭＬ與三星的合作備忘錄相近，但臺積電打算將新購的High-NA EUV微影設備，投入採用互補式場效電晶體架構(gòu)的一奈米研發(fā)作業(yè)，換句話說，臺積電即將于明年下半年量產(chǎn)的二奈米，和預定在后年量產(chǎn)的埃米級A16，甚至是一點四奈米制程的A14，都仍會延用低數(shù)值孔徑的EUV。