長(zhǎng)江存儲(chǔ)告美光 勝率恐不高

                       大陸記憶體巨頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)遭美國(guó)列入黑名單后，持續(xù)自行開(kāi)發(fā)NAND技術(shù)，日前在美國(guó)再度對(duì)美光提起訴訟，指控其侵犯11項(xiàng)專(zhuān)利，對(duì)美光頻頻發(fā)動(dòng)訴訟戰(zhàn)，奮力反擊美國(guó)政府嚴(yán)格限制。

                       據(jù)陸媒報(bào)導(dǎo)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)二度提告，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash，以及美光一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列），侵犯長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的11項(xiàng)專(zhuān)利或?qū)＠暾?qǐng)。

                       臺(tái)系記憶體業(yè)界大老解讀，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功開(kāi)發(fā)Xtacking技術(shù)，累積自己的3D NAND專(zhuān)利，要以3D NAND技術(shù)，追趕三星、SK海力士等一線NAND Flash大廠。

                       由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND技術(shù)是自行開(kāi)發(fā)，技術(shù)的確還不錯(cuò)，因此，提告美光的動(dòng)作，并不令業(yè)界意外。但如果該公司DRAM技術(shù)，也可以告美光，則有點(diǎn)令人意外。

                       另有資深業(yè)界人士認(rèn)為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跑到美國(guó)本土提告，預(yù)期專(zhuān)利勝訴機(jī)率不高，反而政治操作的意味比較濃厚。

                       亦有業(yè)者認(rèn)為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光的地位，有如中美談判的白手套，因此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的提告動(dòng)作，也可視為中美貿(mào)易戰(zhàn)的延續(xù)。

                       美國(guó)商務(wù)部于2022年底，將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單，這使得該公司無(wú)法從美國(guó)公司獲得先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備，制造128層及以上的3D NAND Flash產(chǎn)品。

                       儘管受到美國(guó)政府的嚴(yán)格限制，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍透過(guò)原有的設(shè)備及國(guó)產(chǎn)設(shè)備，發(fā)展其3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產(chǎn)品持續(xù)生產(chǎn)，并正在開(kāi)發(fā)新一代的Xtacking 4.0架構(gòu)的3D NAND Flash。

                       業(yè)界估計(jì)，2024年整體NAND供給位元成長(zhǎng)率約達(dá)20％，而遭受美國(guó)制裁的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，2024年位元成長(zhǎng)率高于業(yè)界平均，可望達(dá)六成以上。

                       主要原因在中國(guó)官方政策性推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)下，各家手機(jī)廠、記憶體模組廠等應(yīng)用，均向長(zhǎng)江存儲(chǔ)搶購(gòu)，以確保產(chǎn)品符合國(guó)產(chǎn)化的要求，使長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能幾乎全部被包下，致使該公司出貨量大幅增加。

                       長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全球市占約5％，對(duì)全球市場(chǎng)的影響性相對(duì)有限，但坐擁中國(guó)龐大內(nèi)需市場(chǎng)，確實(shí)使長(zhǎng)江存儲(chǔ)的業(yè)績(jī)興旺。