唱旺高頻寬記憶體

                               研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）昨（22）日發(fā)布最新報(bào)告指出，受惠均價(jià)上揚(yáng)，以及AI需求強(qiáng)勁帶動(dòng)高頻寬記憶體（HBM）、四層單元（QLC）快閃記憶體崛起，今、明年全球記憶體產(chǎn)業(yè)營收將一路走揚(yáng)，明年DRAM與儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）營收更將同步改寫新猷。

                              法人指出，即便臺(tái)廠在HBM領(lǐng)域并未著墨，仍將受惠三星、SK海力士、美光等記憶體廠大舉將既有DRAM產(chǎn)能提撥生產(chǎn)HBM，引動(dòng)的DDR4與DDR5等DRAM生產(chǎn)銳減帶來的正面效益，南亞科、威剛、十銓、宜鼎、群聯(lián)等臺(tái)廠都將搭上這波熱潮。

                              集邦分析，驅(qū)動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)營收增長的主要?jiǎng)幽?，包括HBM崛起、一般型DRAM產(chǎn)品世代演進(jìn)、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復(fù)甦。此外，DDR5和LPDDR5／5X等高附加價(jià)值產(chǎn)品的滲透，同樣有助提高平均價(jià)格。

                             集邦估計(jì)，DDR5將分別貢獻(xiàn)2024年、2025年伺服器DRAM位元出貨量40%，以及60%至65%；LPDDR5／5X則分別貢獻(xiàn)2024、2025年行動(dòng)記憶體（mobile DRAM）位元出貨量50%、60%。