禁HBM輸中 美管制瞄準(zhǔn)韓企

                           美國(guó)即將在8月下旬更新并繼續(xù)收緊對(duì)中國(guó)的晶片禁令，最新傳出的消息是，將限制中國(guó)取得包括HBM2、HBM3、HBM3E等先進(jìn)AI記憶體晶片，以及制造上述晶片所需設(shè)備。一旦落實(shí)，韓國(guó)的全球兩大記憶體晶片廠SK海力士及三星恐將中槍。

                          近日市場(chǎng)針對(duì)美國(guó)即將推出的新規(guī)細(xì)節(jié)消息不斷。7月上旬曾傳出，白宮正建立一份清單，列出中國(guó)生產(chǎn)半導(dǎo)體所需的關(guān)鍵元件，并以更嚴(yán)格的“外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則”（FDPR）標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施限制。到了7月底，近一步傳美國(guó)將擴(kuò)大阻止部分國(guó)家向中國(guó)出口半導(dǎo)體制造設(shè)備，但日、韓、荷晶片制造設(shè)備盟友可望豁免。值得注意的是，消息未提及豁免臺(tái)灣，引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。

                          高頻寬記憶體（HBM）發(fā)展至今已進(jìn)入第四代HBM3和第五代HMB3E，是AI晶片重要組成之一，因此也被美方擔(dān)憂用來(lái)發(fā)展軍備。SK海力士、三星和美光三家廠商目前在該領(lǐng)域壟斷全球市場(chǎng)。中國(guó)方面，記憶體大廠長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)雖已能制造HBM2，但技術(shù)與三大廠仍有明顯落差。

                          外媒報(bào)導(dǎo)，美國(guó)為了不讓中國(guó)制造商掌握重要技術(shù)，正在制定幾項(xiàng)新規(guī)，管制包含上述先進(jìn)AI記憶體晶片，以及制造該晶片所需設(shè)備。

                          雖然，美國(guó)規(guī)劃中的新措施將限制先進(jìn)HBM晶片對(duì)中企的直接銷售，但目前尚不清楚已裝在AI加速器裡的先進(jìn)記憶體晶片，是否可被允許銷往中國(guó)大陸。

                          此外，與HBM相關(guān)的管制，還包括計(jì)畫加強(qiáng)先進(jìn)DRAM晶片的管制，企圖阻止長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)增強(qiáng)晶片技術(shù)。單一HBM晶片一般由數(shù)個(gè)DRAM晶粒堆迭而成。

                          消息人士還表示，美光基本上不會(huì)受到新規(guī)影響，因?yàn)槿ツ曛袊?guó)大陸禁止美光記憶體用于關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施之后，美光就不再向其出口HBM晶片。

                          不過(guò)目前尚不清楚美國(guó)會(huì)使用什么權(quán)力來(lái)限制韓國(guó)兩大晶片廠銷售給中國(guó)。報(bào)導(dǎo)指出，其中一種可能的方式，是援引FDPR。該法可以限制即使只使用最少量美國(guó)技術(shù)的外國(guó)產(chǎn)品，出口至中國(guó)。而SK海力士和三星，都依賴EDA廠益華（Cadence）、半導(dǎo)體制造裝置廠應(yīng)材等美國(guó)企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn)。