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一、產(chǎn)品特征FDS4935BZ-NL&-38場效應(yīng)管是電子元件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，以獨特的特性在市場中占據(jù)突顯的位置。作為一種P溝道場效應(yīng)管，它不但性能優(yōu)越，并且在電子元件領(lǐng)域中發(fā)揮著主導(dǎo)作用。其高市場地位源于其在各類電子設(shè)備中的作用，為電路原理增添了不凡解決方案。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)FDS4935BZ-NL&-38的技術(shù)規(guī)格突出了其突出的特點。有兩種P溝，漏源電壓(Vdss)持續(xù)漏極電流為30V(Id)為7.3A，導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為29mΩ@10V,7.3A。這些參數(shù)給工程師產(chǎn)生了一般的設(shè)計靈活性，確保了他們在 ...
02-05
一、產(chǎn)品特征AO6801A場效應(yīng)管做為電子元件領(lǐng)域的藝術(shù)家之一，在市場中擁有獨特的特征和非凡的地位。他在電子元件行業(yè)的必要性不可小看。以其卓越的性能和靈活的應(yīng)用成為工程師和技術(shù)人員首選的電子元件之一。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)AO6801A的技術(shù)規(guī)格給工程師一般設(shè)計靈活性。這類場效應(yīng)管有兩種P溝，漏源電壓(Vdss)20V，持續(xù)漏極電流(Id)為3.6A，功率(Pd)1.14W，導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為75mΩ@5.5V,2.5A。這些參數(shù)的出色表現(xiàn)促進其在各類應(yīng)用場景中發(fā)揮出色表現(xiàn)。 三、工作原理及應(yīng)用1. 工作原理AO6 ...
一、產(chǎn)品特征AOD444場效應(yīng)管是電子元件領(lǐng)域的重要組成部分，以其優(yōu)異的性能在市場中占有重要地位。其基本特點包含效率高、穩(wěn)定性強，主要應(yīng)用于電子應(yīng)用。在市場中，以其穩(wěn)定的性能和廣泛應(yīng)用，獲得了方案工程師、技術(shù)人員和制造企業(yè)顧客的高度認(rèn)可。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)AOD444的技術(shù)參數(shù)突出了其強大的特性。做為N溝場效應(yīng)管，其走電電壓(Vdss)做到60V，持續(xù)漏極電流(Id)可達18.2A，此外，在10V的情形下，導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅是73mΩ。這些參數(shù)促進其在大功率、髙壓運用中實現(xiàn)出色功效。詳細(xì)解釋了P溝漏電壓、持續(xù)走電電流、功率、導(dǎo)電阻等關(guān) ...
一、產(chǎn)品特征SUD50N06-09L-E3場效應(yīng)管在電子元件領(lǐng)域中扮演著重要的角色。其基本特性和市場地位使其成為許多電子設(shè)備的核心組件。作為一款先進的場效應(yīng)管，它在電源管理、電機控制等領(lǐng)域發(fā)揮著獨特的作用。其穩(wěn)定性和高性能使其成為方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)采購的首選之一。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)SUD50N06-09L-E3的技術(shù)參數(shù)展現(xiàn)了其卓越的性能。作為N溝道場效應(yīng)管，其漏源電壓高達60V，連續(xù)漏極電流可達50A，而導(dǎo)通電阻僅為10mΩ@10V。這些參數(shù)保證了其在高功率、高頻率應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)。這款MOS管的性能參數(shù)滿足了各種電子電路對功率 ...
一、產(chǎn)品特征在電子元件領(lǐng)域中，SI2343CDS-T1-GE3場效應(yīng)管展現(xiàn)出令人矚目的特性。作為一款P溝道MOS管，其基本特性使其在市場上占據(jù)重要地位。它的卓越表現(xiàn)不僅受到方案工程師和技術(shù)人員的關(guān)注，更是制造企業(yè)采購的首選。其市場地位得益于其穩(wěn)定性、可靠性以及在電源管理和信號放大等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)SI2343CDS-T1-GE3參數(shù)展現(xiàn)了其在電子領(lǐng)域中的強大實力。作為一款P溝道場效應(yīng)管，其技術(shù)規(guī)格包括：-30V的漏極電壓，-5.6A的連續(xù)漏極電流，RDS(ON)分別為47mΩ@10V和56mΩ@4.5V。具備20Vgs的可控制 ...
02-02
一、產(chǎn)品特征IRLR2905TRPBF場效應(yīng)管是電子元件領(lǐng)域中的一顆明星。其基本特性使得其在市場上獨具競爭力，成為眾多方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)采購的首選之一。作為一款N溝道MOS管，它展現(xiàn)了在電源管理、功率放大器和開關(guān)電路等領(lǐng)域的卓越性能，為電子元件領(lǐng)域注入了活力。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRLR2905TRPBF參數(shù)精妙設(shè)計，具備N溝道漏源電壓(Vdss)為60V，連續(xù)漏極電流(Id)為35A。這些技術(shù)規(guī)格賦予了它廣泛的應(yīng)用性。其高漏源電壓和大電流容量使其在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)卓越。同時，其穩(wěn)定的技術(shù)參數(shù)為方案工程師和技術(shù)人員提供了更多的創(chuàng)新 ...
一、產(chǎn)品特征SI4599DY-T1-GE3場效應(yīng)管是電子元件領(lǐng)域中一款備受矚目的產(chǎn)品。其基本特性集市場地位和重要性于一身。作為一種先進的MOS管，其不僅在電源管理、放大器和開關(guān)電路等方面表現(xiàn)出色，而且其卓越的性能使其在電子元件領(lǐng)域中占據(jù)重要地位。市場上的認(rèn)可和用戶的好評證明了SI4599DY-T1-GE3場效應(yīng)管的卓越之處。這一產(chǎn)品的關(guān)鍵特性為其在不同應(yīng)用場景下的出色表現(xiàn)，為方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)采購提供了可靠的解決方案。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)SI4599DY-T1-GE3參數(shù)詳解：該MOS管擁有1個N溝道和1個P溝道，漏源電壓（Vdss ...
一、產(chǎn)品特征在電子元件領(lǐng)域中，IXTP98N075T場效應(yīng)管以其卓越的特性和可靠性贏得了市場地位。其特性包括高性能N溝道設(shè)計，提供80V的漏源電壓、80A的連續(xù)漏極電流，以及在10V下的6.5mΩ的導(dǎo)通電阻。這使得其成為電子領(lǐng)域中備受矚目的關(guān)鍵元件之一。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IXTP98N075T的技術(shù)規(guī)格是其引領(lǐng)市場的原因之一。作為N溝道場效應(yīng)管，它在80V的漏源電壓下能夠持續(xù)承載高達80A的電流。其獨特之處在于在10V的門源電壓下，導(dǎo)通電阻僅為6.5mΩ，保證了在高功率應(yīng)用中的高效能量傳輸。這些技術(shù)參數(shù)使得其在電子設(shè)計中成為首選之一。 ...
一、產(chǎn)品特征IRF3710PBF場效應(yīng)管是電子元件領(lǐng)域的一顆璀璨明珠。以其出色的特性在市場中占據(jù)著重要地位。其高性能、可靠性和靈活性使其成為方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)采購的首選。在電子元件領(lǐng)域中，它以其卓越的表現(xiàn)和可廣泛適用性，為各類電子設(shè)備提供了可靠的支持。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRF3710PBF是一款N溝道場效應(yīng)管，具有100V的漏源電壓和70A的連續(xù)漏極電流。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V時為17mΩ。20V的最大柵源電壓(±V)和3.7V的閾值電壓(Vth)顯示了其卓越的性能。采用TO220封裝，確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。詳 ...
一、產(chǎn)品特征FQP47P06場效應(yīng)管做為電子領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，以獨特的特性在市場中占有重要地位。其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)之后在各種電子元件中興起。它的市場地位不僅是技術(shù)獲勝，更是達到方案工程師、技術(shù)人員和制造企業(yè)采購需求的理想選擇。它以其靠譜性和靈活性，為顧客提供全方位解決方案。 二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)FQP47P06是一款P溝道場效應(yīng)管，具有-60V的漏源電壓和-50A的連續(xù)漏極電流。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V時為19mΩ，在4.5V時為26mΩ。此外，20V的柵源電壓(±V)和-1.96V的閾值電壓(Vth)進一步彰顯了其卓越性能。封裝采 ...
