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IRFZ48RSP場效應(yīng)管參數(shù)-IRFZ48RSPMOS管

一、產(chǎn)品特征IRFZ48RSP場效應(yīng)管做為電子元件領(lǐng)域的真諦，擁有獨特的特性，成為市場的支撐。其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，為制造企業(yè)和技術(shù)人員提供了可靠的解決方法。它的市場地位不可忽視，其優(yōu)異的性能在復(fù)雜的電子元件中發(fā)揮出色，給工程師和生產(chǎn)商帶來了更多概率。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRFZ48RSP的技術(shù)規(guī)格令人矚目。作為N溝道場效應(yīng)管，它具有60V的漏源電壓、60A的連續(xù)漏極電流，以及在10V電壓和60A電流下的12mΩ導(dǎo)通電阻。這些參數(shù)的卓越表現(xiàn)使其在電子領(lǐng)域中脫穎而出。詳細(xì)解讀這些技術(shù)參數(shù)將有助于方案工程師和技術(shù)人員更好 ...

2024

02-02

FQP30N06L場效應(yīng)管參數(shù)-FQP30N06LMOS管

一、產(chǎn)品特征FQP30N06L場效應(yīng)管是電子領(lǐng)域的重要組成部分。其基本特點突出了優(yōu)秀的技術(shù)水準(zhǔn)，突顯的市場地位，為電子元件領(lǐng)域注入了新的活力。其做為MOS管重要代表，在各類電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。其性能穩(wěn)定和優(yōu)越性能在市場上獲得了良好的聲譽(yù)，為方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)顧客增添了出色的挑選。因其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定的特性，該效用管為電子元器件的研發(fā)和生產(chǎn)帶來了極強(qiáng)的運(yùn)用。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)FQP30N06L的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)為N溝道漏源電壓60V，連續(xù)漏極電流50A，導(dǎo)通電阻在10V、50A條件下為24mΩ。這些技術(shù)規(guī)格使得其在電子行業(yè)中 ...

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IRF530NS場效應(yīng)管參數(shù)-IRF530NSMOS管

一、產(chǎn)品特征IRF530NS場效應(yīng)管，作為電子領(lǐng)域的重要組成部分，具有獨特的特性和市場地位。其基本特性在于高效的N溝道漏源電壓（Vdss）為100V，持續(xù)漏極電流（Id）可達(dá)20A，而在10V時的導(dǎo)通電阻（RDS(on)@Vgs,Id）僅為100mΩ。IRF530NS在市場上的地位不可忽視，它在電子元件領(lǐng)域中扮演著重要的角色，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRF530NS參數(shù)的詳細(xì)解讀是為了更好地理解其性能。該MOS管采用N溝道設(shè)計，具有100V的漏源電壓、20A的連續(xù)漏極電流。在10V時，其導(dǎo)通電阻為僅有100mΩ，表現(xiàn)出色。這些 ...

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IRF9530NS場效應(yīng)管參數(shù)-IRF9530NSMOS管

一、產(chǎn)品特征IRF9530NS場效應(yīng)管是一款在電子元件領(lǐng)域中備受矚目的產(chǎn)品。其基本特性突出，市場地位顯著，為方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)采購提供了卓越的選擇。其憑借其卓越性能在市場上穩(wěn)占一席之地，成為業(yè)界備受推崇的電子元件之一。其在電子元器件中的重要性不可忽視，為各類電子設(shè)備的穩(wěn)定性和性能提供了關(guān)鍵支持。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRF9530NS的技術(shù)規(guī)格參數(shù)展示了其強(qiáng)大的性能。這款MOS管具有P溝道漏源電壓(Vdss)高達(dá)100V，連續(xù)漏極電流(Id)為10A，導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)僅為230mΩ@10V,10A。這些卓越的參 ...

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IRF9530NPBF場效應(yīng)管參數(shù)-IRF9530NPBFMOS管

一、產(chǎn)品特征IRF9530NPBF場效應(yīng)管是電子元件領(lǐng)域備受矚目的產(chǎn)品。其基本特點包含性能高、穩(wěn)定性強(qiáng)、關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)秀。在市場中，它因其卓越的品質(zhì)和性能一直占據(jù)著重要地位。做為方案工程師、技術(shù)人員和制造企業(yè)的顧客，把握它的這些特性至關(guān)重要，因為他直接關(guān)系到電子元件實際應(yīng)用中表現(xiàn)。該場效應(yīng)管在電池管理、功率放大等方面發(fā)揮著主導(dǎo)地位，為許多電子工程師提供了強(qiáng)悍的工具。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRF9530NPBF場效應(yīng)管的技術(shù)參數(shù)堪稱令人矚目。具體而言，它采用P溝道設(shè)計，漏源電壓(Vdss)達(dá)到100V，連續(xù)漏極電流(Id)高達(dá)18A。這款MOS管在導(dǎo)通狀 ...

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SI4405DY-T1-GE3場效應(yīng)管參數(shù)-SI4405DY-T1-GE3MOS管

一、產(chǎn)品特征SI4405DY-T1-GE3場效應(yīng)管作為電子元件領(lǐng)域的璀璨明星，以其卓越的產(chǎn)品特性和市場地位脫穎而出。在電子元件的眾多選擇中，它以其獨特的性能在市場上占據(jù)重要地位。具備高度穩(wěn)定的電氣性能和卓越的可靠性，它在電子元件領(lǐng)域中扮演著不可或缺的角色。方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)采購人員都將SI4405DY-T1-GE3視為首選之一，其在各種電子應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用彰顯了其在行業(yè)中的重要性。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)SI4405DY-T1-GE3參數(shù)展示了這款P溝道場效應(yīng)管的卓越技術(shù)實力。作為一款性能優(yōu)越的MOS管，它的技術(shù)規(guī)格顯著，擁有P溝道設(shè)計 ...

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IRF7342TRPBF效應(yīng)管參數(shù)-IRF7342TRPBFMOS管

一、產(chǎn)品特征IRF7342TRPBF場效應(yīng)管做為電子元件行業(yè)的明星產(chǎn)品，其基本特點和市場地位在行業(yè)內(nèi)獨樹一幟。它具有優(yōu)良的電氣特性和穩(wěn)定工作特性，在市場中享有盛名。IRF7342TRPBF場效應(yīng)管做為方案工程師、技術(shù)人員以及制造企業(yè)買家優(yōu)選之一，在電子元件行業(yè)中發(fā)揮著不可替代的作用。其高品質(zhì)、高性能的特性，使之成為電子元件設(shè)計的理想選擇，為各類應(yīng)用提供了極佳的運(yùn)用。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)IRF7342TRPBF參數(shù)展示了這款MOS管強(qiáng)大的電氣性能。擁有2個P溝道的設(shè)計，漏源電壓(Vdss)高達(dá)60V，連續(xù)漏極電流(Id)達(dá)到5.3A。這一系列技術(shù)規(guī) ...

2024

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RTR020P02場效應(yīng)管參數(shù)-RTR020P02MOS管

一、產(chǎn)品特征RTR020P02場效應(yīng)管以其卓越的特性和先進(jìn)技術(shù)，成為方案工程師、技術(shù)人員和制造企業(yè)采購的不二之選。其在電子元件領(lǐng)域的關(guān)鍵地位不僅體現(xiàn)在技術(shù)層面，更在于其在實際應(yīng)用中所展現(xiàn)出的可靠性和靈活性。它開啟智能科技之門，為未來的技術(shù)發(fā)展鋪平了道路。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)RTR020P02場效應(yīng)管的技術(shù)參數(shù)令人矚目。具備P溝道設(shè)計，漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流為5A，功率達(dá)2.5W，導(dǎo)通電阻在Vgs為10V、Id為5.1A時為35mΩ。這些優(yōu)越的參數(shù)使其在電子領(lǐng)域中脫穎而出。在市場上占據(jù)一席之地，其性能穩(wěn)定可靠，成為眾多項目的首選。 ...

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AO4812場效應(yīng)管參數(shù)-AO4812MOS管

一、產(chǎn)品特征AO4812場效應(yīng)管，做為電子元件領(lǐng)域的佼佼者，以其優(yōu)異的性能和廣泛應(yīng)用而備受關(guān)注。該效用管在市場中占有重要地位，不但以其尖端科技而獲得認(rèn)可，并且因其在電子元件領(lǐng)域的關(guān)鍵地位。它以獨特的設(shè)計和穩(wěn)定性，變成方案工程師、技術(shù)人員和制造購置的首選之一。在電子元件領(lǐng)域，其優(yōu)異的性能為各類項目提供了強(qiáng)有力的運(yùn)用。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)AO4812參數(shù)展示了其卓越的技術(shù)規(guī)格，為其在各種應(yīng)用場景中的卓越性能奠定了基礎(chǔ)。這款2個N溝道場效應(yīng)管具有30V的漏源電壓、連續(xù)漏極電流達(dá)到6.2A，以及1.78W的功率。尤其值得注意的是其導(dǎo)通電阻，在10V、5A ...

2024

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SI7483ADP場效應(yīng)管參數(shù)-SI7483ADPMOS管

一、產(chǎn)品特征SI7483ADP場效應(yīng)管做為電子元件領(lǐng)域的瑰寶，因其優(yōu)異的性能和廣泛應(yīng)用而著稱。其基本特點不僅包括出色的技術(shù)創(chuàng)新，并且在市場中占有重要地位。該場效應(yīng)管不但在電子元件領(lǐng)域占據(jù)普遍市場占比，并且在各種電路中發(fā)揮著主導(dǎo)作用。其以獨特的設(shè)計和穩(wěn)定性，變成工程師和技術(shù)人員不可缺少的挑選。其重要性在電子元件領(lǐng)域不可低估，是推動科技創(chuàng)新的關(guān)鍵動能。二、技術(shù)規(guī)格參數(shù)SI7483ADP參數(shù)展示了其卓越的技術(shù)規(guī)格，為其在各種應(yīng)用場景中的卓越性能奠定了基礎(chǔ)。這款P溝道場效應(yīng)管具有30V的漏源電壓、連續(xù)漏極電流達(dá)到120A，以及110W的功率。特別值得 ...

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IRFZ48RSP場效應(yīng)管參數(shù)-IRFZ48RSPMOS管

FQP30N06L場效應(yīng)管參數(shù)-FQP30N06LMOS管

IRF530NS場效應(yīng)管參數(shù)-IRF530NSMOS管

IRF9530NS場效應(yīng)管參數(shù)-IRF9530NSMOS管

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SI4405DY-T1-GE3場效應(yīng)管參數(shù)-SI4405DY-T1-GE3MOS管

IRF7342TRPBF效應(yīng)管參數(shù)-IRF7342TRPBFMOS管

RTR020P02場效應(yīng)管參數(shù)-RTR020P02MOS管

AO4812場效應(yīng)管參數(shù)-AO4812MOS管

SI7483ADP場效應(yīng)管參數(shù)-SI7483ADPMOS管