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SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2302DS是一款高效N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高能效和低功耗電子應用設計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定承載2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其48mΩ的導通電阻(RD(on))確保了在低功耗下仍具有出色的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關、電池保護系統(tǒng)等領域，是構(gòu)建小型化、節(jié)能型電子解決方案的理想半導體元件。

ST2302

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ST2302是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效率和緊湊型電子設計。該器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承載2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其低至48mΩ的導通電阻(RD(on))確保了在高能效運作的同時降低功耗。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關控制、電池管理系統(tǒng)等領域，是實現(xiàn)節(jié)能、小型化電子設備的理想半導體組件。

Si2302CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

Si2302CDS-T1-GE3型號MOS管采用微型SOT-23封裝，內(nèi)置先進N溝道技術，專為優(yōu)化電路效率而生。該器件工作在20V的漏源電壓(VDSS)下，可承載最大2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適合于中小功率應用場合。尤為突出的是其48mR的低導通電阻(RD(on))，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效能。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關控制及低壓電子設備的開關電路中，是您提升產(chǎn)品性能與節(jié)能效果的理想半導體元件選擇。

BSC0702LSATMA1

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

這款消費級MOSFET采用先進的DFN5X6-8L封裝，具備高效能N溝道設計，額定電壓高達60V，電流容量高達125A，專為各類高功率應用打造，提供卓越的開關性能與低導通電阻，是您電子設備的理想選擇。

1N60G

SOT-223

MXsemi

晶體管

4000個/圓盤

該消費級MOSFET采用SOT-223封裝，具備N溝道特性，擁有600V的高耐壓及1A的連續(xù)電流處理能力，適用于各類中高壓電子設備，提供卓越的開關性能與低損耗

MX30P02DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，額定電壓20V，連續(xù)電流高達30A。專為高效、緊湊型電源轉(zhuǎn)換、負載開關控制以及電池管理系統(tǒng)設計，提供低導通電阻和卓越的熱性能，滿足現(xiàn)代電子設備的小型化需求。

CMD5950

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

此款P溝道消費級MOSFET采用TO-252-2L封裝，特別優(yōu)化以實現(xiàn)高電壓、大電流應用。具有100V的額定電壓和30A連續(xù)工作電流能力，適用于各類電源開關、逆變器以及高效功率轉(zhuǎn)換場景，提供出色的導通性能與能效，是高性能電子設備的理想組件選擇。

BSS214NH6327

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款緊湊型N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為消費電子產(chǎn)品中的低電壓、中等電流應用設計。額定電壓20V，最大連續(xù)電流3A，適合于電源管理、負載開關以及移動設備的功率路徑控制，具備低導通電阻和高效能特點，是小型電子電路的理想選擇。

BSS806NEH6327

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，專為低電壓、中等電流應用設計。額定耐壓20V，支持3A連續(xù)電流處理能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關控制及電池管理系統(tǒng)，具備低導通電阻和高效能表現(xiàn)，是現(xiàn)代電子設備的優(yōu)質(zhì)功率管理組件。

DMG2301L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMG2301L是一款高效能P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，特別適合低功耗和緊湊型電子設計。產(chǎn)品關鍵特性包括耐壓等級VDSS高達20V，可承載2.3A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)了卓越的電流處理能力。其導通電阻RD(on)低至95mR，有效降低功耗并提升系統(tǒng)能效。DMG2301LMOS管憑借其出色的開關性能、小巧尺寸以及穩(wěn)定的運行表現(xiàn)，廣泛應用于電源切換、電池保護、便攜式設備電路設計等領域，是您設計中的理想半導體元件選擇。

SI2301CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SI2301CDS-T1-GE3是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術，專為低功耗及高集成度設計。其關鍵特性包括工作電壓VDSS高達20V，可承載2.3A連續(xù)漏極電流，提供出色的電力管理能力。導通電阻RD(on)僅為95mR，有效減少能源消耗，提升系統(tǒng)能效。SI2301CDS-T1-GE3MOS管憑借卓越的開關性能、小巧封裝尺寸及高穩(wěn)定性，廣泛應用于電源開關控制、電池保護、便攜式電子設備等多元化場景，是您優(yōu)化電路設計的理想半導體元件。

DMN63D8L

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMN63D8L是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合空間有限的電路板設計。該器件工作電壓高達30V，提供精確的0.1A電流控制，具有1200mR導通電阻，適用于低功率應用場合。廣泛應用于電子開關、過流保護、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，是實現(xiàn)精準電流管理和節(jié)能設計的理想選擇。

ST2305

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

ST2305是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于低電壓、低功耗應用場合。器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，支持高達3A的連續(xù)漏極電流ID，確保在低壓系統(tǒng)中穩(wěn)定可靠運行。其導通電阻RD(on)低至60mΩ，有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效比。ST2305MOS管是電池供電設備、電源開關控制、負載驅(qū)動等領域的理想選擇，以出色的性能和小型化封裝服務于各類電子設計項目。

DMP2066LSN

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP2066LSNP溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝設計，適合空間受限的現(xiàn)代電子應用。器件特性卓越額定工作電壓VDSS為20V，可承載5A的連續(xù)漏極電流，確保在低壓環(huán)境下穩(wěn)定運行；30mΩ的低導通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關控制、電池保護等場景，是您實現(xiàn)高集成度與節(jié)能設計的理想MOS管方案。

NTR3A30PZ

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

NTR3A30PZP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，特別適應于緊湊空間的電路設計需求。該器件關鍵參數(shù)如下最大工作電壓VDSS為20V，能提供5A的連續(xù)漏極電流，確保穩(wěn)定高效的電流傳導；30mΩ的低導通電阻RD(on)，有效降低系統(tǒng)內(nèi)部功耗，提升整體能效。廣泛應用在電源管理、負載開關控制、電池保護等領域，是您設計高集成度與節(jié)能電子產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)MOS管選擇。

RZE002P02TL

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

RZE002P02是一款P溝道MOSFET，采用超小型SOT-523封裝，專為便攜式和空間敏感型電子設備設計。器件規(guī)格包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能夠承載0.7A的漏極電流(ID)，并具有260mR的導通電阻(RD(on))，在低電壓、小電流應用中展現(xiàn)優(yōu)秀性能。這款MOS管適合應用于電源管理、電池保護電路、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領域，是提升系統(tǒng)效能和精簡空間的理想選擇。

NTD20N03L27

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

NTD20N03L27是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率應用設計。該器件具有30V的VDSS電壓耐受能力，能夠承載高達20A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)出卓越的電流處理性能。其亮點在于僅15mΩ的超低導通電阻RD(on)，顯著提升能源效率并減少系統(tǒng)發(fā)熱。廣泛應用在電源轉(zhuǎn)換器、大電流開關電路、電機驅(qū)動等領域，是追求高效率、大電流應用的理想半導體元件。

BSS816NW

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BSS816NW是一款高性能N溝道MOSFET，采用微小型SOT-323封裝，特別適合于高密度電路板設計。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能提供穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)，其優(yōu)勢在于49mΩ的低導通電阻(RD(on))，有效減小了功耗，提升了系統(tǒng)能效比。廣泛應用于便攜設備、電源轉(zhuǎn)換、邏輯控制等領域，是實現(xiàn)小型化、節(jié)能電子產(chǎn)品的理想MOS管組件。

BSS214NWH6327

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

BSS214NWH6327是一款采用SOT-323封裝的高性能N溝道MOSFET，專為小型化和高能效電子設備設計。該器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，可持續(xù)提供2A的漏極電流(ID)，其特色在于49mΩ的低導通電阻(RD(on))，有效降低了功耗并提升了系統(tǒng)效能。廣泛應用在諸如移動設備、電源轉(zhuǎn)換、邏輯控制等對尺寸和效率有較高要求的場景中，是理想的MOS管組件選擇。

IRLML6346TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于30V電壓下的中等電流應用。提供5A連續(xù)電流處理能力，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關和電池管理系統(tǒng)，具備低導通電阻與高效能特點，是現(xiàn)代電子設備設計的理想集成組件。

BSC028N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

此款N溝道消費級MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具備強大的125A連續(xù)電流能力和60V額定電壓，專為高密度、大電流應用設計。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及電機驅(qū)動場景，提供卓越的開關性能與能效，是現(xiàn)代高性能電子設備的理想核心組件。

FDMC8651

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

型號FDMC8651的N溝道MOS管，以緊湊型DFN3X3-8L封裝呈現(xiàn)，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化與高性能要求設計。此器件具備強大功能，額定電壓VDSS高達30V，可承載最大連續(xù)電流ID達到100A，保證在高負荷條件下的穩(wěn)定運行。其亮點在于僅有4mΩ的超低導通電阻RD(on)，有效提高了功率轉(zhuǎn)換效率，降低功耗，是電源管理、高速開關電路、馬達驅(qū)動等領域的理想選擇，助您輕松實現(xiàn)高效能的電路設計。

AON6360

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具有卓越的功率密度。額定電壓30V，連續(xù)電流高達120A，專為高效能、大電流應用設計，如電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)，提供出色的散熱性能與電路集成度。

AON6312

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具有30V額定電壓和高達150A的連續(xù)電流處理能力。專為高效能、大電流應用設計，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)，提供卓越功率密度與散熱性能。

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