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SOT-23-3L

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

AO3481是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，適宜空間受限的電路布局。器件特性卓越，具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可處理高達(dá)4.2A的連續(xù)漏極電流(ID)，且其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為45mR，確保在開關(guān)過程中實(shí)現(xiàn)高效能與低功耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)電路、電池保護(hù)系統(tǒng)以及各種便攜式和手持設(shè)備的低電壓、中等電流控制中。

MMBF2201NT1

SOT-323

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

MMBF2201NT1N溝道MOSFET采用小巧精密的SOT-323封裝，實(shí)現(xiàn)空間利用率最大化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，在導(dǎo)通狀態(tài)下可承載2A的漏極電流(ID)，同時(shí)保持優(yōu)秀的低導(dǎo)通電阻49mR(RD(on))，從而有效提高系統(tǒng)效能，減少能量損失。這款MOS管廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等場(chǎng)景中，是工程師打造高性能、低能耗電路的理想之選。

AO4430

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)18A。專為中高功率需求設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，具備出色的能效比和小型化特點(diǎn)，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品緊湊高效的半導(dǎo)體要求。

HD6362

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達(dá)100A，專為大電流、高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供卓越的開關(guān)性能與低損耗特性，是高性能消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備的理想組件。

DMP4051LK3-13

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓40V，提供穩(wěn)定的25A電流處理能力。專為中低壓、高效能的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，確保卓越的電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。

DMG1012T-7

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用超小型SOT-523封裝，具備20V工作電壓和0.8A電流承載能力，專為低功耗、高集成度的電子設(shè)備設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高效電源管理與精確開關(guān)控制。

IRLML0030TRPBF

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于30V電壓系統(tǒng)，提供5.8A強(qiáng)大電流處理能力。具有出色的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，是充電器、電源轉(zhuǎn)換及高功率電子設(shè)備的理想選擇，確保高效穩(wěn)定的功率控制與轉(zhuǎn)換。

AOD417

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，具備強(qiáng)大40A電流處理能力。專為高效能、低損耗的消費(fèi)電子開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，有效提升系統(tǒng)性能與節(jié)能效果，是在低壓環(huán)境下優(yōu)化電源管理方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。

HD7256

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓100V，峰值電流高達(dá)20A，適用于高功率電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，提供高效能、低損耗的開關(guān)控制解決方案。

AO4614

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用緊湊SOP-8封裝，專為雙向電源控制和高效轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。額定電壓40V，連續(xù)電流高達(dá)7.2A，適用于電池管理系統(tǒng)、AC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。集成雙極性通道，具備低導(dǎo)通阻抗與卓越的開關(guān)性能，確保在正負(fù)電壓下穩(wěn)定工作，是電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

HS2290

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款高性能消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOP-8封裝，內(nèi)含雙N溝道設(shè)計(jì)，專為處理高電流應(yīng)用打造。額定電壓40V，連續(xù)通過電流高達(dá)12A，適用于電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合。憑借其卓越的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有效提升系統(tǒng)效率并確保穩(wěn)定運(yùn)行。

FDN338P

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，提供2.3A電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源管理等場(chǎng)景，是電子設(shè)備高效能功率控制的理想選擇。

MX30G20DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，集成雙通道，額定電壓30V，連續(xù)電流16A。專為小型化、高效率電源轉(zhuǎn)換與負(fù)載控制設(shè)計(jì)，適用于電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)景，提供出色的能效比及空間節(jié)省方案。

HN6976

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具備60V額定電壓和30A連續(xù)電流處理能力。專為高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制與電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，擁有出色的熱性能及功率密度，是現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備的理想選擇。

AOD4144

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達(dá)60A，專為高效電源轉(zhuǎn)換、大電流負(fù)載控制等應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供出色的開關(guān)性能和低損耗特性，是高功率消費(fèi)電子設(shè)備的理想選擇。

50N06

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用高效TO-252-2L封裝，具有60V高耐壓和強(qiáng)大50A電流承載能力。專為高性能消費(fèi)電子設(shè)備設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)低電阻、高速開關(guān)，顯著提升系統(tǒng)效能與穩(wěn)定性，是優(yōu)化電源管理方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。

SI2306A

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備高達(dá)5.8A的大電流處理能力。具有優(yōu)越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換以及各類高功率電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效可靠的功率管理與切換功能。

MX5N50D

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，擁有高達(dá)500V的高耐壓及穩(wěn)定的5A電流處理能力。適用于各類高壓開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合的消費(fèi)電子產(chǎn)品，確保卓越的電源轉(zhuǎn)換效率、低損耗和系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。

IRF640NPBF

TO-220

MXsemi

晶體管

50個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-220封裝，專為處理200V高電壓、中大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定連續(xù)電流18A，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和卓越散熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率控制的理想元件。

IRF630

TO-220

MXsemi

晶體管

50個(gè)/圓盤

這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-220封裝，專為處理200V高電壓下的中等電流應(yīng)用。額定連續(xù)電流9A，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和高效散熱設(shè)計(jì)，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想的高耐壓功率開關(guān)器件。

IPD40DP06NMATMA1

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

此款TO-252-2L封裝的P溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET，專為中等電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓60V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)10A，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)越熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率控制的理想選擇。

AOD478

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個(gè)/圓盤

這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備100V高耐壓和高達(dá)20A連續(xù)電流處理能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高性能應(yīng)用場(chǎng)景，提供卓越的開關(guān)性能與穩(wěn)定可靠的功率管理解決方案。

IPG20N06S4L-26

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個(gè)/圓盤

這款雙N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。具有60V額定電壓及單通道高達(dá)50A的連續(xù)電流能力，尤其適用于高效電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)單車電池管理系統(tǒng)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，提供卓越的能效表現(xiàn)與可靠的開關(guān)性能。

ZXMP3A13F

SOT-23

MXsemi

晶體管

3000個(gè)/圓盤

ZXMP3A13FP溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電路設(shè)計(jì)打造。該器件耐壓高達(dá)30V，能提供穩(wěn)定的4.1A電流輸出，并具有優(yōu)秀的48mΩ導(dǎo)通電阻，從而確保了系統(tǒng)在運(yùn)行過程中的低功耗與高效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是工程師進(jìn)行綠色節(jié)能電子設(shè)計(jì)的理想之選。

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