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SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

RTR025P02FRA是一款P溝道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封裝，適用于空間受限和高集成度的電路設(shè)計(jì)。器件特性包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，可穩(wěn)定提供4.1A的漏極電流(ID)，且導(dǎo)通電阻(RD(on))低至34mR，確保在低電壓應(yīng)用環(huán)境下也能實(shí)現(xiàn)高效能和低功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、低壓電子設(shè)備中，是優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件。

PMF63UNE

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

PMF63UNE是一款緊湊型N溝道MOSFET，采用微型SOT-323封裝，專為高集成度電路設(shè)計(jì)。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，支持穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)，其特點(diǎn)在于擁有49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有助于提升電路效率并降低功耗。此款MOS管廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備、電源管理、信號切換等方面，是實(shí)現(xiàn)小型化、高效能電子系統(tǒng)的重要元件。

RQ3E130MN

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

RQ3E130MN是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為大電流、低阻抗應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供30V的漏源電壓(VDSS)，在6mR的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，能夠承載高達(dá)60A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，憑借其出色的電流承載能力和卓越的能效性能，是優(yōu)化系統(tǒng)效能、降低能耗的理想半導(dǎo)體元件。

IRFH3702PBF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

IRFH3702PbF是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，滿足現(xiàn)代化小型化電路設(shè)計(jì)要求。其擁有30V的最大漏源耐壓(VDSS)，具備強(qiáng)大瞬態(tài)響應(yīng)能力，可持續(xù)提供高達(dá)60A的漏極電流(ID)。尤為突出的是，導(dǎo)通電阻僅6mΩ(RD(on))，顯著降低功率損耗，確保在大電流運(yùn)行環(huán)境下也能保持高效能表現(xiàn)。本產(chǎn)品廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動、高頻開關(guān)等領(lǐng)域，為高端電子產(chǎn)品提供強(qiáng)勁動力支持。

AON7380

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

AON7380是一款高性能N溝道MOSFET，采用DFN3X3-8L先進(jìn)封裝，專為大電流、低損耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，能在僅6mR的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，承載高達(dá)60A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，其卓越的電流處理能力和能效表現(xiàn)，使之成為優(yōu)化系統(tǒng)性能、降低能耗的理想半導(dǎo)體元件。

NTMS4177P

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

NTMS4177PP溝道MOSFET采用經(jīng)濟(jì)實(shí)用的SOP-8封裝，專為高電流應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載12A的強(qiáng)大連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻僅為10mΩ，確保在高功率操作下仍維持高能效與低熱耗損。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動控制、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，以其卓越的電流承載力與良好的電氣性能，為您的電路設(shè)計(jì)提供堅(jiān)實(shí)支撐。

IRF9956PBF

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

IRF9956PbF為SOP-8封裝，是一款高性能N+N溝道MOSFET，專為中高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其特點(diǎn)是最大工作電壓VDSS為30V，可承載6A的漏極電流，并具有低至25mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，確保高效能和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場合，是您實(shí)現(xiàn)高集成度和節(jié)能目標(biāo)的理想MOS管器件。

SM4800PRL

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

SM4800PRL是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝設(shè)計(jì)，專為高效率電子設(shè)備提供強(qiáng)大電流控制能力。關(guān)鍵特性包括最大工作電壓VDSS為30V，支持高達(dá)6A的連續(xù)漏極電流，確保在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色；其25mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您追求高集成度與節(jié)能方案的理想MOS管選擇。

IRF7313PBF

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

IRF7313PbF是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，專為現(xiàn)代高功率密度電子設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大支持。器件特性卓越最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載6A連續(xù)漏極電流，確保強(qiáng)大電流處理能力；其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為25mΩ，有效降低功耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想MOS管器件選擇。

NTTFS4824N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

NTTFS4824N型號N溝道MOS管，采用DFN3X3-8L封裝，結(jié)合小型化與高效散熱特性，特別適合高密度電路板設(shè)計(jì)。器件提供30V的額定電壓VDSS，支持最大100A連續(xù)電流ID，展現(xiàn)了強(qiáng)大的電力傳輸性能。尤為突出的是，其導(dǎo)通電阻低至4mR，有效提高系統(tǒng)效率，減少功耗。

CSD17578Q3A

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

CSD17578Q3AN溝道MOSFET采用先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)小型化與高效散熱的完美結(jié)合。該器件性能卓越，具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，支持高達(dá)60A的連續(xù)工作電流，其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至6mΩ，確保了出色的能效比和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。

SI1012R-T1-GE3

SOT-523

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

SI1012R-T1-GE3是一款采用微型SOT-523封裝的高品質(zhì)N溝道MOSFET。它具備卓越的電氣性能，工作電壓VDSS高達(dá)20V，可承載最大連續(xù)電流ID為0.8A，而且擁有極為出色的導(dǎo)通電阻RD(on)僅100mR，有助于提升系統(tǒng)能效并減小能耗。此款MOS管適合用于電源轉(zhuǎn)換、電池供電設(shè)備、智能家居產(chǎn)品及其他空間受限但需高性能開關(guān)功能的場合，是工程師優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

SM32314D1RL

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

SM32314D1RLN溝道MOSFET，采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝技術(shù)，結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省電路板空間。該器件具有30V的最高耐壓（VDSS），并提供高達(dá)60A的持續(xù)漏極電流（ID），性能強(qiáng)大穩(wěn)定。尤為值得一提的是其出色的導(dǎo)通電阻僅為6mΩ（RD(on)），有效減少了能耗，提升了系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率。這款MOS管非常適合應(yīng)用于高功率密度的開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動控制以及高電流管理方案中。

CSD17579Q3A

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

CSD17579Q3AN溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高效空間利用而設(shè)計(jì)。該器件擁有30V的最大額定電壓（VDSS），并可承載強(qiáng)大的60A連續(xù)漏極電流，性能卓越。尤其突出的是其超低的導(dǎo)通電阻6mΩ（RD(on)），顯著減少功率損耗，提高整體工作效率。這款MOS管適用于各類高性能開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動及大電流控制場景，是工程師的理想之選。

IRLML2502PBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

IRLML2502PbF是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和小型化電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載6A的連續(xù)漏極電流(ID)，其卓越的22mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了在低功耗條件下仍能保持高能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建節(jié)能、緊湊型電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。

SQ2308CES-T1_GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

SQ2308CES-T1_GE3N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)打造。器件具備強(qiáng)大性能參數(shù)最大漏源電壓(VDSS)高達(dá)60V，持續(xù)電流(ID)高達(dá)3A，且導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為80mΩ，確保在高負(fù)荷條件下仍能保持優(yōu)異的能源效率和散熱性能。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場景，以出色的效能和穩(wěn)定性，為您提供電路設(shè)計(jì)的上乘之選。

FDS6675

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDS6675P溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，具備優(yōu)良的電流處理能力。器件特點(diǎn)是30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠穩(wěn)定傳輸高達(dá)12A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻低至10mΩ，有助于增強(qiáng)系統(tǒng)效率，降低能耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)等高電流應(yīng)用場景中，以其出色的性能和高可靠性，成為優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

NTTFS4939N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

NTTFS4939N是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝設(shè)計(jì)，專為高效能、空間受限的電路應(yīng)用打造。在30V電壓VDSS下穩(wěn)定運(yùn)行，提供高達(dá)100A的連續(xù)電流處理能力，展現(xiàn)卓越電力傳輸性能。其亮點(diǎn)在于擁有4mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功耗，提升系統(tǒng)能效。NTTFS4939N適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、以及其他需要高性能低損耗半導(dǎo)體元件的場合。

NTMFS4C025N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

NTMFS4C025N型號N溝道MOS管采用DFN3X3-8L封裝，實(shí)現(xiàn)小型化與高效散熱，滿足高密度電路板設(shè)計(jì)需求。器件額定電壓VDSS為30V，具備強(qiáng)大的100A連續(xù)電流ID承載能力，彰顯卓越的電力控制性能。其4mR的超低導(dǎo)通電阻，有助于大幅度提高系統(tǒng)能效，減少功率損耗。

CSD16340Q3

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

CSD16340Q3型號N溝道MOS管，采用先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，將小型化與高效散熱相結(jié)合，專為高密度電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件具備30V的額定電壓VDSS，能穩(wěn)定承載100A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)出強(qiáng)大的功率處理能力。其導(dǎo)通電阻僅為4mR，極大地提高了系統(tǒng)能效，降低了功耗。

NTTFS4C06N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

NTTFS4C06N型號N溝道MOS管采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝技術(shù)，集小巧體積與高效散熱于一體，適用于各類高密度電子設(shè)計(jì)。器件擁有30V額定電壓VDSS，可承載高達(dá)100A的連續(xù)電流ID，充分展現(xiàn)強(qiáng)大的電力傳輸性能。其獨(dú)特優(yōu)勢在于僅4mR的超低導(dǎo)通電阻，有效提高系統(tǒng)能效并減少損耗。

NVTFS4C13N

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

NVTFS4C13NN溝道MOSFET采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為高集成度電路設(shè)計(jì)，體積小但性能強(qiáng)勁。該器件具有30V的電壓額定值（VDSS），并能在高功率條件下承載60A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出卓越的電流承載力。其導(dǎo)通電阻低至6mΩ（RD(on)），有助于降低系統(tǒng)損耗，提升整體能效。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、高功率開關(guān)電路等各種高電流與高效率應(yīng)用場合。

CSD16411Q3

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個(gè)/圓盤

CSD16411Q3N溝道MOS管，采用先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝工藝，小巧輕便，適用于高密度電路設(shè)計(jì)。具備30V的耐壓等級（VDSS）和高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流（ID），確保卓越的電力處理能力。其導(dǎo)通電阻僅為6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系統(tǒng)能效。此款MOS管是您在高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中的理想選擇。

FDS6675BZ

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDS6675BZP溝道MOSFET采用SOP-8封裝工藝，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能持續(xù)承載高達(dá)12A的大電流，其突出優(yōu)勢在于僅有10mΩ的導(dǎo)通電阻，確保在高功率狀態(tài)下也能展現(xiàn)出卓越的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域，以強(qiáng)大的電流處理能力和絕佳的電氣性能，為您的電路設(shè)計(jì)提供強(qiáng)有力的支持。

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