場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
STS2DNF30L是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備提供高效的功率控制解決方案。主要特性包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，具備6A的連續(xù)漏極電流能力，確保強(qiáng)大電流處理性能；其25mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)設(shè)計(jì)，有效降低功耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您追求高集成度與節(jié)能效果的理想MOS管選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IRF7303PbF是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)，提供卓越的功率控制性能。其關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)包括最大工作電壓VDSS為30V，可穩(wěn)定處理6A的漏極電流，滿足高電流需求；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為25mΩ，有效降低功耗并提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您實(shí)現(xiàn)高集成度與節(jié)能目標(biāo)的理想MOS管選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SI4936CDY-T1-GE3是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備提供強(qiáng)大電流處理能力。其核心優(yōu)勢(shì)在于最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載6A連續(xù)漏極電流，滿足高功率需求；導(dǎo)通電阻RD(on)低至25mΩ，有效減少系統(tǒng)功耗，提高能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想MOS管器件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
FDY300NZ是一款采用緊湊型SOT-523封裝的高集成N溝道MOS管。它擁有出色的電氣特性，額定電壓VDSS高達(dá)20V，可承受最大連續(xù)電流ID0.8A，同時(shí)具備極低的導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為100mR，有效保證了高效能運(yùn)作和節(jié)能效果。這款MOS管廣泛適用于各種功率轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及移動(dòng)通信設(shè)備等領(lǐng)域，憑借其小巧尺寸與卓越性能，成為現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)的理想之選。
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這款I(lǐng)RLML0060PbFN溝道MOS管采用高效能SOT-23封裝，適用于緊湊型電路設(shè)計(jì)。具有出色的電氣性能，耐壓高達(dá)60V，連續(xù)電流可達(dá)3A，低至80mΩ的導(dǎo)通電阻，確保了設(shè)備在運(yùn)行中的高效能與低損耗。其卓越的品質(zhì)和可靠性適合于各類高端電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用場(chǎng)合，是您優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
Si2308CDSN溝道MOSFET采用精巧的SOT-23封裝，旨在滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求。該器件性能強(qiáng)大，具備60V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載3A電流，并具有低至80mΩ的導(dǎo)通電阻，有效保證了系統(tǒng)運(yùn)行的高效率和低能耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)等多個(gè)領(lǐng)域，以出色的性能和高可靠性，賦能您的電路設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)卓越的系統(tǒng)性能表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AO4822A是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高電流應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)計(jì)。該器件特性出眾最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可輕松處理8.5A的連續(xù)漏極電流；其優(yōu)秀的17mΩ導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，大幅度提升系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您構(gòu)建節(jié)能高效電子設(shè)備的理想MOS管解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AO4404BN溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效能、大電流應(yīng)用打造。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備8.5A的連續(xù)電流承載能力，且導(dǎo)通電阻僅14mΩ，確保在高壓大電流環(huán)境下仍能維持卓越的能效與低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，以其出色的電流處理能力和穩(wěn)定的電氣性能，成為您電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AOD2916是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為滿足高電壓、大電流應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)。工作電壓高達(dá)100V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)30A，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻僅為35mΩ，確保在大電流運(yùn)行時(shí)仍能保持卓越的能效和較低的功率損耗。AOD2916MOS管是構(gòu)建高效率、高穩(wěn)定性電子設(shè)備的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SIR468DP-T1-GE3是一款采用小型化DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOSFET，專為高效能和空間敏感型設(shè)計(jì)而生。該器件在30V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，能提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，充分滿足高電流應(yīng)用的需求。其亮點(diǎn)在于僅4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少能量損耗，提高整體能效。無(wú)論在電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)還是其他大電流負(fù)載控制場(chǎng)合，SIR468DP-T1-GE3都是理想的半導(dǎo)體元件解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTMFS4925N是一款N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和低能耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。本器件能在30V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，凸顯出強(qiáng)大的電流處理能力。其亮點(diǎn)在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為4.3mR，確保了卓越的能效表現(xiàn)，有效降低功耗。NTMFS4925N適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、及其他對(duì)功率和效率有較高要求的場(chǎng)景，是現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTMFS4941N是一款采用緊湊型DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOSFET，特別適用于空間有限且需高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件能在30V的最大電壓VDSS下穩(wěn)定運(yùn)行，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，展現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至4.3mR，確保了最小的功率損耗和最高的能效表現(xiàn)。無(wú)論在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、或者其他大電流應(yīng)用領(lǐng)域，NTMFS4941N都是您理想的半導(dǎo)體解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NVTFS5C466NL是一款N溝道MOSFET，采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝，適宜空間有限的設(shè)計(jì)需求。器件提供40V的漏源電壓(VDSS)，支持高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有低至6.9mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和低損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等多種場(chǎng)景，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTMFS4939N是一款N溝道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封裝，專為高效能、緊湊空間設(shè)計(jì)。在30V電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流處理能力，適用于大電流應(yīng)用場(chǎng)景。其核心優(yōu)勢(shì)在于4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，大大提升了系統(tǒng)能效，降低了功耗。無(wú)論是在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、還是其他高效率要求的場(chǎng)合，NTMFS4939N都是您理想的半導(dǎo)體解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AON6576是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝設(shè)計(jì)，專為高效率和小型化電子系統(tǒng)打造。該器件能夠在30V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，滿足大電流應(yīng)用場(chǎng)景需求。其核心優(yōu)勢(shì)在于僅4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，大幅度降低了功率損耗，提高了系統(tǒng)能效。AON6576廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、以及其他要求高效節(jié)能的半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
FDS8949是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效率、高集成度的電子設(shè)計(jì)打造。該器件提供了40V的額定電壓VDSS，可承載12A連續(xù)電流ID，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電力處理性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為16mΩ，有效降低了系統(tǒng)能耗，提升了整體能效。FDS8949適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制以及中等電流驅(qū)動(dòng)等各種應(yīng)用環(huán)境，是實(shí)現(xiàn)低損耗、高效率電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體器件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTMD3P03型號(hào)MOS管，采用先進(jìn)的P+P溝道技術(shù)，封裝于小型化SOP-8外殼，以其優(yōu)良的集成性和空間利用率備受青睞。該器件工作穩(wěn)定，額定電壓VDSS高達(dá)30V，可持續(xù)提供5.3A的大電流處理能力，同時(shí)具有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻RD(on)，低至35mR，顯著提升工作效率，降低能耗。此款MOS管廣泛適應(yīng)于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多種應(yīng)用場(chǎng)景，助您實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能升級(jí)與節(jié)能目標(biāo)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IRLR2703是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為處理大電流和高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并且可以安全地傳導(dǎo)高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強(qiáng)大的電流傳送能力。其亮點(diǎn)在于僅15mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，從而實(shí)現(xiàn)卓越的能源轉(zhuǎn)換效率和減少功率損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大電流開(kāi)關(guān)電路等多個(gè)領(lǐng)域，是您構(gòu)建高效、可靠電子系統(tǒng)的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
FDS6912A型MOS管是一款高性能的N+N溝道半導(dǎo)體器件，采用SOP-8封裝形式，結(jié)構(gòu)緊湊，便于在各種電路板中靈活布局。該器件擁有30V的高額定電壓VDSS，以及高達(dá)8.5A的連續(xù)電流ID能力，表現(xiàn)出強(qiáng)勁的電能處理性能。特別值得一提的是，其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅17mR，有助于大幅度降低系統(tǒng)損耗，提升整體工作效率。此款MOS管廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，經(jīng)嚴(yán)格品質(zhì)把控，確保每一片都具備出色的穩(wěn)定性和耐用性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SM4953PRL型MOS管選用高品質(zhì)P+P溝道工藝，采用精巧SOP-8封裝形式，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供卓越的空間利用率。本器件電壓耐受力出眾，額定VDSS值為30V，能夠承受5.3A的連續(xù)漏極電流，而其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅為35mR，確保了在運(yùn)行過(guò)程中的低功耗與高效率表現(xiàn)。此款MOS管廣泛運(yùn)用于電源控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，是提升系統(tǒng)整體效能的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IPD30N06S2L-23是一款高功率N溝道MOSFET，封裝類型為TO-252-2L，專為高密度電源應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在滿載下處理50A的強(qiáng)大連續(xù)電流(ID)，且擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通特性，導(dǎo)通電阻僅為15mR(RD(on))，從而大大減少了功率損耗，提高了系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等對(duì)效率要求較高的場(chǎng)合。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該P(yáng)溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓環(huán)境下的高效電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制。器件提供4.1A連續(xù)電流處理能力，具有低導(dǎo)通電阻特性，特別適應(yīng)于便攜式設(shè)備的電池管理系統(tǒng)，是實(shí)現(xiàn)節(jié)能與可靠功率管理的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SM6366ED1RL型號(hào)N溝道MOS管，采用DFN5X6-8L封裝設(shè)計(jì)，兼具小型化與高效散熱功能，特別適合現(xiàn)代高密度電子設(shè)備應(yīng)用。器件擁有30V額定電壓VDSS，提供高達(dá)120A連續(xù)電流ID處理能力，展現(xiàn)卓越的電力控制性能。其3.5mR超低導(dǎo)通電阻，有效提高能源效率并減少系統(tǒng)損耗。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NTMFS4937N型號(hào)N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝技術(shù)，專為高密度、高性能電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件具備30V的額定電壓VDSS，支持高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)強(qiáng)大電力處理實(shí)力。其卓越的3.5mR導(dǎo)通電阻，助力實(shí)現(xiàn)超高能效，減少不必要的系統(tǒng)損耗。
