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SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

BSS7728N是一款N溝道MOSFET，采用小型化封裝SOT-23-3L，專為緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件具備60V的高耐壓（VDSS），能穩(wěn)定傳輸0.3A的連續(xù)漏極電流（ID），并且具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅為1000mR，確保了低功耗和高效率運(yùn)作。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是您優(yōu)化電路性能的理想半導(dǎo)體元器件。

FDN358P

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDN358P是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，針對高效率、小尺寸電子設(shè)計(jì)。該器件具有30V的高工作電壓VDSS，提供穩(wěn)定的4.1A電流ID，同時(shí)擁有48mR的低導(dǎo)通電阻，確保在中高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越的能效表現(xiàn)。廣泛運(yùn)用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)及各類中等電流負(fù)載驅(qū)動場景，是電路設(shè)計(jì)者追求高效、節(jié)能解決方案的理想之選。

Si2307CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2307CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設(shè)計(jì)。該器件工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載4.1A連續(xù)電流，且擁有低至48mR的導(dǎo)通電阻，有效提高系統(tǒng)能效，降低能耗。適用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)和各類中等電流負(fù)載驅(qū)動應(yīng)用，是工程師設(shè)計(jì)高集成度、低功耗方案的理想半導(dǎo)體元件。

DMG2307L

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMG2307LMOS管是一款采用小型SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高效率電源管理和負(fù)載驅(qū)動設(shè)計(jì)。該器件具有30V的高耐壓值VDSS和4.1A的強(qiáng)大電流承載能力，配合48mR的低導(dǎo)通電阻，有效降低功耗并提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源開關(guān)控制以及各類中等電流負(fù)載驅(qū)動場合，是工程師在設(shè)計(jì)中尋求高性價(jià)比解決方案的理想選擇。

Si2307BDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2307BDS-T1-GE3MOS管是一款采用SOT-23封裝的高性能P溝道MOSFET，專為緊湊型電子設(shè)計(jì)打造。該器件具有30V的高額定電壓VDSS和高達(dá)4.1A的連續(xù)電流ID，能夠在中高功率應(yīng)用中展現(xiàn)穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻低至48mR，有效提高能源利用效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路以及各類負(fù)載驅(qū)動場合，是實(shí)現(xiàn)高能效系統(tǒng)控制的理想半導(dǎo)體元件。

FDN360P

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDN360PMOS管是一款采用經(jīng)典SOT-23封裝的高質(zhì)量P溝道半導(dǎo)體元件，工作電壓VDSS高達(dá)30V，確保在多種電源管理場景下穩(wěn)定運(yùn)行。器件提供4.1A的強(qiáng)大電流承載能力，且擁有48mR的低導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)能效并降低功耗。適用于電池保護(hù)、電源開關(guān)控制及中等電流負(fù)載驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，是電路設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高效可靠控制的理想之選。

ZXM61P03F

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

ZXM61P03FMOS管是一款高性能P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝形式，便于在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效布局。該器件支持30V的最大工作電壓，可穩(wěn)定輸出4.1A的連續(xù)電流，且具備出色的導(dǎo)通電阻值48mR，有效提升了能源轉(zhuǎn)換效率并降低了系統(tǒng)功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域，是您追求卓越性能與節(jié)能設(shè)計(jì)的理想選擇。

NDS356AP

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

NDS356APMOS管是一款高性能P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，專為高密度電路設(shè)計(jì)。器件在30V的額定電壓下運(yùn)行穩(wěn)定，可承載最大4.1A的連續(xù)電流，憑借其卓越的48mΩ導(dǎo)通電阻，有效降低了系統(tǒng)能耗，提升了整體效率。廣泛適用于電源控制、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等多種場合，是打造高效能、低功耗電子產(chǎn)品的理想之選。

ZVN4106F

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

ZVN4106F是一款N溝道MOS管，采用小型化的SOT-23封裝，專為高集成度電子設(shè)計(jì)而生。該器件擁有60V的高擊穿電壓(VDSS)，支持0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至1000mR，確保在工作狀態(tài)下的低功耗和高效能表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)電路及電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高可靠性、節(jié)能型電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體組件。

RHK003N06

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

RHK003N06是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件具備60V的高擊穿電壓(VDSS)，能安全處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅1000mR，有效減少能量損耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動等場景，是您實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體元件。

DMP3125L

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP3125LP溝道MOS管采用了節(jié)省空間的SOT-23封裝，具備30V的高擊穿電壓VDSS和4.1A的強(qiáng)勁連續(xù)電流ID，能滿足多種中高功率應(yīng)用需求。其48mR的導(dǎo)通電阻有利于優(yōu)化系統(tǒng)能效，降低功耗。這款MOS管常用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)電路以及中等電流負(fù)載驅(qū)動等場景，是電子設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電流管理的理想選擇。

Si2303CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2303CDS-T1-GE3是一款高效P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，便于在緊湊型電路設(shè)計(jì)中靈活使用。器件亮點(diǎn)在于擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載4.1A漏極電流(ID)，同時(shí)具備48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低損耗狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)高效能運(yùn)作。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等各種場景，是您提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想選擇。

PMBF170

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

PMBF170是一款N溝道MOSFET，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23封裝，適應(yīng)各類緊湊型電路設(shè)計(jì)。器件可在60V的電壓下穩(wěn)定工作，提供0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并憑借1000mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保高效能、低功耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是您優(yōu)化系統(tǒng)性能、節(jié)能降耗的理想半導(dǎo)體組件。

BSS159N

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

BSS159N是一款N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，專為高密度電路設(shè)計(jì)。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，并能處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻僅為1000mR，確保在導(dǎo)通狀態(tài)下降低功耗，提高能源利用效率。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場合，是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

DMN62D0U

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMN62D0U是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，適用于空間有限的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。該器件擁有60V的高額定電壓VDSS，以及最大0.3A的連續(xù)漏極電流ID，同時(shí)具有出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至1000mR，有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。適用于各類電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景，是您電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

DMN2230U

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMN2230UMOS管是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝設(shè)計(jì)，特別適合于緊湊型電路板布局。器件的核心參數(shù)優(yōu)越，擁有20V的最大漏源電壓VDSS，以及2.3A的連續(xù)漏極電流ID，保證在高電壓下仍能實(shí)現(xiàn)大電流穩(wěn)定傳輸。此外，該MOS管具備超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅48mR，大大降低了功耗，提高了能源利用率，是電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)控制和其他高效能電子應(yīng)用的理想之選。

Si2302DDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2302DDS-T1-GE3型號MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內(nèi)含尖端N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路性能設(shè)計(jì)。器件支持20V的漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定處理2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用各類中小功率應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了低功耗和高效率運(yùn)作。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)及低壓電子設(shè)備的開關(guān)控制，是提升產(chǎn)品能效比和可靠性的重要半導(dǎo)體組件。

AO3494

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

AO3494是一款高效N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高能效和低功耗電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定處理2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其優(yōu)秀的48mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了在多種應(yīng)用中都能實(shí)現(xiàn)低功耗和高電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)電路等領(lǐng)域，是小型化、節(jié)能電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體元件。

ZXMN2F34FH

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

ZXMN2F34FH型號MOS管采用小型SOT-23封裝，內(nèi)嵌高效N溝道技術(shù)，專為提升電路性能設(shè)計(jì)。該器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于各種中小功率應(yīng)用場合。其獨(dú)特的48mR低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低功率損耗，增強(qiáng)系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換控制以及各類低壓電子設(shè)備的開關(guān)電路中，是您提升產(chǎn)品能效的理想半導(dǎo)體元件。

MVGSF1N02L

SOT-23-3L

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

MVGSF1N02LN溝道MOSFET采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，特別適用于緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且在導(dǎo)通狀態(tài)下呈現(xiàn)出僅為48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，從而保證了高效的電能轉(zhuǎn)化和較低的功率損耗。這款MOS管廣泛運(yùn)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、智能設(shè)備等多種領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能減排的理想半導(dǎo)體元件。

ZXMN2A01F

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

ZXMN2A01F是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于各類緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠提供2.3A的穩(wěn)定漏極電流(ID)，并且具有48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在小體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了良好的電流控制與低功耗性能。此款MOS管常見于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場合，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的高效能半導(dǎo)體元件。

ZXMN2B01F

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

ZXMN2B01FMOS管是一款高性能N溝道器件，采用緊湊型SOT-23封裝，適用于空間有限的設(shè)計(jì)方案。該元件具有出色的電氣性能，額定電壓VDSS高達(dá)20V，最大連續(xù)漏極電流ID為2.3A，能在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作并提供強(qiáng)大的電流驅(qū)動能力。尤其值得一提的是，其導(dǎo)通電阻RD(on)低至48mR，有助于減少功率損耗，提高電路整體效率，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動及各類高效率電子設(shè)備中。

MGSF1N02LT1

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

MGSF1N02LT1型號MOS管采用SOT-23小型封裝，集成高效N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路效率而研發(fā)。該器件支持高達(dá)20V的漏源電壓(VDSS)，能穩(wěn)定處理2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于各種中小功率應(yīng)用場合。其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))顯著減少了功率損耗，提升了整體系統(tǒng)的效能表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及低壓電子設(shè)備的開關(guān)控制電路中，是您追求高能效與穩(wěn)定性半導(dǎo)體解決方案的理想之選。

MGSF2N02EL

SOT-23

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

MGSF2N02EL是一款高效能N溝道MOS管，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，特別適用于緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件擁有穩(wěn)定的20V漏源電壓VDSS，最大連續(xù)漏極電流可達(dá)2.3A，確保在高壓環(huán)境下也能提供卓越的電流承載能力。尤為突出的是其低至48mR的導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少能量損失，提升系統(tǒng)效能，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動及各類追求高效率的電子設(shè)備設(shè)計(jì)中。

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