場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN2058U是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定處理高達(dá)6A的漏極電流(ID)，且具備出色的低導(dǎo)通電阻22mΩ(RD(on))，確保了卓越的能效表現(xiàn)和低功耗。廣泛應(yīng)用在電源管理、電池保護(hù)、開關(guān)調(diào)節(jié)等場(chǎng)景中，是實(shí)現(xiàn)小型化、高效率電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AO3409是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封裝，專為高集成度和節(jié)能電子設(shè)計(jì)。該器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載4.2A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有出色的45mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低功耗下仍能保持高效的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)景，是小型化、高性能電子設(shè)備的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AO3403是一款高效P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，專為高效率和小型化電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件支持最大30V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載高達(dá)4.2A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有低至45mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低功耗環(huán)境下依然維持卓越的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)電路等領(lǐng)域，是打造節(jié)能、緊湊型電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。
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ST3401M23RG是一款P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝形式，專為緊湊型電子設(shè)計(jì)打造。其關(guān)鍵性能指標(biāo)包括最大漏源電壓VDSS為30V，能提供高達(dá)4.2A的連續(xù)漏極電流ID，同時(shí)具備低至45mR的導(dǎo)通電阻RD(on)，確保在開關(guān)過程中的高效能與低損耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)控制及其他需要低電壓、中等電流切換功能的電子設(shè)備中。
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該N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用小巧的SOT-23封裝，專為高效能、中高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓20V，可承載高達(dá)6A連續(xù)電流，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)，提供低導(dǎo)通電阻和出色的熱穩(wěn)定性，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)功率控制的理想半導(dǎo)體組件。
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MCH3376是一款高效P溝道MOSFET，采用小型SOT-323封裝，專為高密度電路設(shè)計(jì)。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載1.8A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有120mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低功耗下保持良好的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、邏輯電路反轉(zhuǎn)等領(lǐng)域，是小型化、節(jié)能型電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體組件。
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DMN2046U型號(hào)MOS管采用小型SOT-23封裝，內(nèi)部集成高效N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路性能打造。該器件支持高達(dá)20V的漏源電壓(VDSS)，并能在滿載條件下穩(wěn)定提供6A的連續(xù)漏極電流(ID)，適應(yīng)中小功率應(yīng)用場(chǎng)景。憑借14mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，它能有效降低能耗，提高系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及各類低壓電子設(shè)備的開關(guān)電路設(shè)計(jì)，是您提升產(chǎn)品性能的理想半導(dǎo)體器件。
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Si2312BDS-T1-E3是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電路設(shè)計(jì)。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載3A的漏極電流(ID)，并具備出色的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了良好的能源轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)景，是構(gòu)建小型化、節(jié)能型電子設(shè)備的優(yōu)秀半導(dǎo)體組件。
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DMN2075U是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和小型化電子設(shè)計(jì)。該器件擁有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并以其出色的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了卓越的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能電子解決方案的精選半導(dǎo)體元件。
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NDS0610P溝道MOSFET采用流行的SOT-23封裝形式，針對(duì)空間受限和高效率電路設(shè)計(jì)。該器件具有60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，能在160mR(RD(on))的低導(dǎo)通電阻下，穩(wěn)定地處理2A的漏極電流(ID)。適用于電池保護(hù)、電源切換和負(fù)載驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，這款MOS管以強(qiáng)大的電壓承載能力和精確的電流控制優(yōu)勢(shì)，助力提升您的電路性能與可靠性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
型號(hào)Si2301DS的P溝道MOS管采用小型SOT-23封裝，特別適用于對(duì)空間要求嚴(yán)苛的電子設(shè)計(jì)項(xiàng)目。該器件具有卓越的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，連續(xù)電流ID高達(dá)2.3A，適用于中低電壓大電流應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為95mR，有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是工程師設(shè)計(jì)高效、低耗能電路的理想組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
BSS215PP溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率、低功耗電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件具備出色的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，可持續(xù)處理電流ID高達(dá)2.3A，且擁有超低導(dǎo)通電阻RD(on)95mR，確保了在高速開關(guān)和大電流應(yīng)用中顯著節(jié)能降耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，BSS215P以穩(wěn)定的品質(zhì)和卓越性能，成為您的電路設(shè)計(jì)中不可或缺的組件。
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型號(hào)BSH205G2A的P溝道MOS管采用小型SOT-23封裝，特別適應(yīng)于現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求。該器件具有穩(wěn)健的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，連續(xù)電流ID可達(dá)2.3A，適宜中低電壓大電流應(yīng)用環(huán)境。其導(dǎo)通電阻RD(on)為95mR，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、邏輯電平轉(zhuǎn)換器等電路設(shè)計(jì)中，是工程師尋求高效、低能耗解決方案的理想MOS管組件。
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型號(hào)Si2301ADS的P溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，特別適合小型化電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。該器件提供穩(wěn)定可靠的性能，工作電壓VDSS高達(dá)20V，連續(xù)電流ID可達(dá)2.3A，滿足中低電壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景。導(dǎo)通電阻RD(on)低至95mR，有效減少功率損耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、邏輯電平轉(zhuǎn)換器等各類電路設(shè)計(jì)中，是工程師構(gòu)建高效節(jié)能系統(tǒng)的理想MOS管選擇。
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SSM3K335R是一款N溝道MOS管，采用節(jié)省空間的SOT-23-3L封裝，專為現(xiàn)代緊湊電路設(shè)計(jì)打造。該器件提供30V的額定電壓VDSS，以及高達(dá)5.8A的連續(xù)電流ID能力，保證出色的功率處理性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)為22mΩ，致力于在高效率運(yùn)作的同時(shí)減少能耗損失。非常適合應(yīng)用于電源管理、負(fù)載切換以及低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，是您尋求高性價(jià)比半導(dǎo)體解決方案的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SI2309CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間緊湊的高效電路設(shè)計(jì)。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的導(dǎo)通電阻下穩(wěn)定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路、負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景，憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性，成為您提升系統(tǒng)效能和可靠性的理想半導(dǎo)體組件。
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DMP3030SN是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合緊湊型電路設(shè)計(jì)。器件具有30V的額定電壓VDSS，提供高達(dá)4.1A的連續(xù)電流ID，而且導(dǎo)通電阻僅有42mR，有助于提升系統(tǒng)能效，減少功耗。廣泛應(yīng)用在電源開關(guān)、電池保護(hù)電路以及各種中等電流負(fù)載驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景中，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)高效能源管理的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SM3400SRLN溝道MOSFET采用SOT-23微型封裝，專為緊湊型和高效能電路設(shè)計(jì)。該器件擁有30V的高擊穿電壓(VDSS)，可承載高達(dá)5.8A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具備出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅為28mR(RD(on))。憑借這些特性，SM3400SRL適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高功率應(yīng)用場(chǎng)合，旨在提升系統(tǒng)效能，降低能耗，是您的電路設(shè)計(jì)理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
SM2305SRLP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高集成度電路設(shè)計(jì)。器件具備20V的最大工作電壓（VDSS），并能承載高達(dá)5A的連續(xù)漏極電流（ID），顯示了卓越的電流處理性能。其35mR的低導(dǎo)通電阻（RD(on)）確保了在大電流應(yīng)用中的高效能和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路等多種場(chǎng)合，是您進(jìn)行高精度、低損耗功率控制的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
FDV301NN溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專為精細(xì)化電子設(shè)計(jì)打造。在30V的額定電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，提供精確到0.1A的電流控制能力，具備1200mR導(dǎo)通電阻，尤其適用于低功耗、小電流應(yīng)用環(huán)境。廣泛應(yīng)用于電源管理、信號(hào)切換、保護(hù)電路等領(lǐng)域，是您追求高效、節(jié)能電路解決方案的理想元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IRLML6244PbF是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，適合空間受限的電路設(shè)計(jì)。器件在20V的最大工作電壓下，可承載高達(dá)7A的連續(xù)電流，并提供優(yōu)異的15mΩ導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)高效能、低損耗的功率轉(zhuǎn)換。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)穩(wěn)壓器等各種場(chǎng)合，是打造高性能、節(jié)能電子產(chǎn)品的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AO3406是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封裝，特別適用于有限空間內(nèi)的電路布局。本器件額定電壓VDSS為30V，峰值電流ID高達(dá)5.8A，展現(xiàn)出優(yōu)越的電力驅(qū)動(dòng)能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至22mΩ，有效降低系統(tǒng)內(nèi)阻，提升整體能效。AO3406是電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制以及低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合的理想半導(dǎo)體組件，以穩(wěn)定的性能和緊湊設(shè)計(jì)滿足多樣化電路需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN2056U是一款高性能N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，專為高功率密度電路設(shè)計(jì)。器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達(dá)6A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有出色的22mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了更低的功率損耗和更高的能源效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)小型化、節(jié)能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
NDS332PMOS管，采用緊湊型SOT-23封裝形式，內(nèi)建P溝道結(jié)構(gòu)，性能卓越。該器件具有20V的最高漏源擊穿電壓(VDSS)，能在安全電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，同時(shí)提供高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)能力。尤其值得關(guān)注的是其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅120mR，顯著降低了功率損耗并提升了整體系統(tǒng)效能。適用于電源管理、開關(guān)調(diào)節(jié)等電路設(shè)計(jì)，是您實(shí)現(xiàn)高效能應(yīng)用的理想之選。
