場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，具有60V額定電壓和20A連續(xù)電流處理能力。專為緊湊型、高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)卓越的空間利用率與能效表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-220F封裝，擁有高達(dá)650V的擊穿電壓和7A連續(xù)電流承載能力，適用于高電壓、大電流電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換與開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。卓越性能，滿足嚴(yán)苛電路需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備30V額定電壓及高達(dá)80A連續(xù)電流承載能力，專為大電流、高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用設(shè)計(jì)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能與低損耗表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用先進(jìn)的TO-252-2L封裝，是一款高性能N溝道器件，額定電壓高達(dá)30V，持續(xù)電流容量為20A，適用于各類中低壓開(kāi)關(guān)電路，為電子產(chǎn)品提供高效、穩(wěn)定的功率管理解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備30V工作電壓及20A電流承載力。專為低電壓、高效能的消費(fèi)電子開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，顯著提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與節(jié)能效果，是優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換方案的理想半導(dǎo)體組件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為便攜式和空間受限設(shè)計(jì)的高效能電路打造。器件提供20V額定電壓及高達(dá)2.3A連續(xù)電流承載能力，具備低導(dǎo)通電阻特性，適用于電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)及各類移動(dòng)設(shè)備的電源路徑控制，實(shí)現(xiàn)卓越的能源效率與可靠性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，額定電壓為20V，具備高達(dá)7A的大電流承載能力。憑借其低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、電源轉(zhuǎn)換等高效率電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，耐壓高達(dá)50V，額定電流為0.2A。適合于電池保護(hù)、信號(hào)切換等低電流應(yīng)用場(chǎng)合，具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，是電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)精細(xì)功率控制的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，額定電壓60V，提供2A電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)合，為電子設(shè)備帶來(lái)高效、穩(wěn)定的功率控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)MOSFET封裝為SOT-23-3L，采用P溝道設(shè)計(jì)，具有30V的擊穿電壓及4.2A的最大連續(xù)電流能力，適用于各類電源開(kāi)關(guān)控制和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。憑借其緊湊尺寸與卓越性能，成為電子設(shè)備高效能、低損耗解決方案的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，額定電壓30V，提供高達(dá)5.8A的大電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及高功率電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)高效能與穩(wěn)定的功率控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓環(huán)境，具備5.8A大電流處理能力。憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源管理及各類高效率電子設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)可靠的功率轉(zhuǎn)換與控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，擁有N溝道構(gòu)造，額定電壓高達(dá)30V，能承載5A穩(wěn)定電流，適用于各類電子設(shè)備的電源開(kāi)關(guān)與轉(zhuǎn)換控制。其優(yōu)良性能和小巧體積，為電路設(shè)計(jì)提供高效、可靠的功率管理解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓60V，提供高效穩(wěn)定的20A電流處理能力。專為中高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)卓越的電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備4.2A高電流處理能力。具有出色的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源管理及各類電子設(shè)備中，提供高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換與控制功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為60V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，額定電流1.6A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用，提供高效能、穩(wěn)定的功率控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓系統(tǒng)，提供4.2A大電流處理能力。具備出色的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)合，實(shí)現(xiàn)高效能、穩(wěn)定可靠的功率控制。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為60V電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，額定電流高達(dá)3A。具備出色的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源管理等場(chǎng)景，提供高效能、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換與控制解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，峰值電流高達(dá)150A。專為高效能電源轉(zhuǎn)換、大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備卓越的功率處理能力和熱穩(wěn)定性，是現(xiàn)代高密度電子設(shè)備的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封裝，具有優(yōu)越的散熱性能。其規(guī)格為100V漏源電壓和75A連續(xù)電流，特別適合于空間緊湊、高效率要求的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)景，提供卓越的功率處理能力與可靠性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用TO-252-4L封裝，額定電壓40V，具備穩(wěn)定高效的20A電流處理能力。專為中低壓雙極性電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，確保卓越的能效與系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用TO-252-4L封裝，具備60V高耐壓及強(qiáng)大的20A電流處理能力。專為中高壓雙極性電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)高效能、低損耗的電路控制與優(yōu)化。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓60V，峰值電流高達(dá)50A。專為提升電源轉(zhuǎn)換效率和開(kāi)關(guān)性能設(shè)計(jì)，適用于各類電子設(shè)備，以強(qiáng)大的電流承載能力和卓越的能效表現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定運(yùn)行。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝，擁有出色的散熱性能與緊湊尺寸。額定電壓為60V，連續(xù)電流高達(dá)80A，特別適合于高效電源轉(zhuǎn)換、大電流負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用，提供卓越的功率密度和穩(wěn)定性。
