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SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

此款P溝道消費(fèi)級MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效電源開關(guān)和負(fù)載控制設(shè)計(jì)。器件具備20V額定電壓及高達(dá)5A連續(xù)電流承載能力，尤其適用于電池供電設(shè)備、小型逆變器以及DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場合，提供卓越的低導(dǎo)通電阻性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備中理想的功率管理組件。

PMF170XP

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

PMF170XP是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化SOT-323封裝，專為緊湊型和節(jié)能電子設(shè)計(jì)。該器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，可承載1.8A的連續(xù)漏極電流(ID)，其120mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了在低功耗下的高效能表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路等領(lǐng)域，是小型化、節(jié)能型電子解決方案的理想半導(dǎo)體元件。

DMP6350S

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP6350SP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電子設(shè)計(jì)。器件支持高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，并能在160mR(RD(on))的導(dǎo)通電阻下，承載穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、電池管理系統(tǒng)、反向電流保護(hù)等功能模塊，其出色的電壓承受能力和精準(zhǔn)的電流控制性能，為您的電路設(shè)計(jì)提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案。

FDN5618P

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDN5618P是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于空間有限的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。該器件提供高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，能夠支持1.6A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且具備140mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在低電壓應(yīng)用中展現(xiàn)卓越性能。廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、負(fù)載切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，是您構(gòu)建高效、可靠電路的理想選擇。

DMP3130L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP3130LMOS管是一款采用小型SOT-23封裝的高性能P溝道半導(dǎo)體器件，具有30V的高耐壓值VDSS，確保在多種應(yīng)用環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。器件支持4.2A連續(xù)電流ID，導(dǎo)通電阻低至45mR，有效提升能源效率，減少功率損耗。適用于電池保護(hù)、電源開關(guān)控制以及中等電流負(fù)載驅(qū)動(dòng)等場合，是電路設(shè)計(jì)的理想選擇，助您實(shí)現(xiàn)高效、可靠的系統(tǒng)功能。

NTR4171P

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

NTR4171PMOS管是一款高效P溝道半導(dǎo)體器件，采用小型SOT-23封裝形式，節(jié)省電路板空間。其工作電壓高達(dá)30V，并能在系統(tǒng)中穩(wěn)定提供4.2A的電流ID。值得一提的是，該器件導(dǎo)通電阻為45mR，確保在傳輸過程中損耗較低，能效較高。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)和負(fù)載開關(guān)等各種需要精確控制電流流向的應(yīng)用場景，是您設(shè)計(jì)項(xiàng)目中的理想選擇。

BSH205G2R

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

BSH205G2R是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效、緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件具有20V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有出色的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、低電壓大電流邏輯轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

NTR0202PL

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

NTR0202PL是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合于緊湊型電子設(shè)計(jì)和低功耗應(yīng)用。該器件擁有20V的漏源電壓VDSS，能夠承載高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流ID，適用于電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動(dòng)等多種場合。其導(dǎo)通電阻RD(on)為130mR，展現(xiàn)了優(yōu)秀的能效性能，常被應(yīng)用于包括電源管理、電池保護(hù)電路在內(nèi)的各類電子設(shè)備中。

DMP2160U

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP2160U是一款采用SOT-23小型封裝的P溝道MOS管，適用于空間受限和便攜式電子設(shè)備的電源管理與開關(guān)應(yīng)用。該器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，可處理3A連續(xù)漏極電流ID，確保在低壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻RD(on)為60mΩ，有助于在低功率應(yīng)用中降低功耗，提升系統(tǒng)效率。DMP2160UMOS管以其小巧尺寸和可靠性能，成為移動(dòng)設(shè)備、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域理想的半導(dǎo)體組件。

Si2305CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2305CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專為小型化電子設(shè)備提供高效能解決方案。該器件擁有以下關(guān)鍵特性最大工作電壓VDSS為20V，確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行；具備5A的漏極電流能力，滿足多種電流需求；導(dǎo)通電阻RD(on)低至30mΩ，有助于減少功耗，提升整體效率。廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制和電池保護(hù)等場景，是您理想中的高集成度與節(jié)能型MOS管組件。

DMP2045U

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP2045UP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代微型電子設(shè)備量身打造。該器件具備20V的最大工作電壓VDSS，可持續(xù)提供5A的漏極電流，展現(xiàn)穩(wěn)定高效的電流處理能力。其亮點(diǎn)在于30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，助力降低系統(tǒng)能耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是您設(shè)計(jì)高品質(zhì)、節(jié)能電子產(chǎn)品的優(yōu)選MOS管器件。

SM2301SRL

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

SM2301SRL是一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管，專為緊湊型電子設(shè)備和低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，具備3A的連續(xù)漏極電流ID能力，確保在低壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其導(dǎo)通電阻RD(on)為60mΩ，有助于減少能源損耗，增強(qiáng)系統(tǒng)效能。SM2301SRLMOS管適用于電池供電設(shè)備、電源管理、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合，以優(yōu)異的性能和小巧的體積滿足各類便攜式和嵌入式設(shè)計(jì)需求。

Si2329DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2329DS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用經(jīng)濟(jì)高效的SOT-23封裝，適合各類緊湊型電路設(shè)計(jì)。該器件亮點(diǎn)在于具備20V的最大工作電壓VDSS，可穩(wěn)定輸出5A的漏極電流；并且擁有30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了更低的功率損耗和更高的系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等相關(guān)領(lǐng)域，是您在設(shè)計(jì)高集成度和節(jié)能方案時(shí)的理想MOS管器件選擇。

Si2323CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2323CDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適合現(xiàn)代微小電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件規(guī)格出色最大工作電壓VDSS為20V，能夠承載5A的連續(xù)漏極電流，確保穩(wěn)定運(yùn)行；其導(dǎo)通電阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度減少能耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)等方面，是您實(shí)現(xiàn)高集成度與節(jié)能目標(biāo)的理想MOS管解決方案。

FDN308P

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDN308P是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子電路設(shè)計(jì)。其核心性能包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能穩(wěn)定輸出3A漏極電流(ID)，同時(shí)具有較低的60mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，在低電壓、中等電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這款MOS管適用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能場景，是優(yōu)化系統(tǒng)效能和縮小產(chǎn)品體積的理想半導(dǎo)體元件。

AO3493

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

AO3493是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為低電壓、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有20V的最大漏源電壓VDSS，可持續(xù)提供3A的漏極電流ID，保證在低壓系統(tǒng)中穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻RD(on)為60mΩ，有效降低功率損耗，提高能源利用效率。AO3493MOS管廣泛應(yīng)用于電池管理、電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動(dòng)等場景，憑借其出色的電氣性能和小型封裝，成為現(xiàn)代便攜式和嵌入式電子設(shè)備的理想選擇。

Si2323DS-T1-E3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2323DS-T1-E3是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊電子設(shè)計(jì)提供高集成度解決方案。該器件特性顯著具備20V的最大工作電壓VDSS，可安全承載5A的連續(xù)漏極電流；其低至30mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系統(tǒng)能效。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等廣泛應(yīng)用場景，是您追求節(jié)能與高性能的理想MOS管器件選擇。

ST9435A

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

ST9435A型號(hào)MOS管運(yùn)用先進(jìn)技術(shù)的P溝道架構(gòu)，采用緊湊型SOP-8封裝形式，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化與高性能要求設(shè)計(jì)。該器件能在30V額定電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)5A的連續(xù)漏極電流ID，且具有優(yōu)秀的43mR導(dǎo)通電阻RD(on)，確保低功耗和高效能表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能降耗的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體元件。

PMV65XP

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

PMV65XP是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間有限且需精確控制電流的電路設(shè)計(jì)。該器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，支持3A的連續(xù)漏極電流ID，確保在低壓系統(tǒng)中穩(wěn)定工作。其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)在于導(dǎo)通電阻RD(on)低至60mΩ，有效降低功率損耗，提升能源使用效率。PMV65XPMOS管是電池供電設(shè)備、電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的理想選擇，用其出色的性能滿足您的低電壓、低功耗半導(dǎo)體需求。

Si2323DDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

Si2323DDS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，專為緊湊型電子設(shè)計(jì)提供卓越性能。該器件特性鮮明具有20V的最大工作電壓VDSS，能穩(wěn)定處理5A的漏極電流；并且，其30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)設(shè)計(jì)大大減少了功率損失，提高了系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)等電路設(shè)計(jì)中，是您尋求高性能、節(jié)能方案的理想MOS管元件選擇。

DMP2215L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP2215L是一款P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，尤其適合于緊湊型電源管理和移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用。器件特性包括最大工作電壓VDSS為20V，能支持高達(dá)3A的連續(xù)電流，且具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至60mR（RD(on)）。這款MOS管憑借其高效的能效轉(zhuǎn)化率和小巧封裝，是電池保護(hù)電路、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及其他小型電子設(shè)備的理想選擇。

RTE002P02

SOT-523

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

RTE002P02是一款采用精巧SOT-523封裝的P溝道MOS管，針對現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求設(shè)計(jì)。其工作電壓高達(dá)20V，可承受0.7A的連續(xù)電流，充分滿足各種低電壓應(yīng)用場合的需求。該器件擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅260mΩ，顯著減小功率損耗，提升整體效能。適用于電源切換、電池管理系統(tǒng)及其他需精細(xì)控制電流的領(lǐng)域，是您優(yōu)化設(shè)計(jì)、追求高效節(jié)能的優(yōu)質(zhì)選擇。

FDY102PZ

SOT-523

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

FDY102PZP溝道MOS管采用超微型SOT-523封裝，特別適合于高密度、低功耗電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求。該器件具有優(yōu)越的電氣性能，最大工作電壓VDSS高達(dá)20V，連續(xù)電流ID可達(dá)0.7A，其導(dǎo)通電阻RD(on)低至260mR，有效保證了在低電流應(yīng)用中的能效表現(xiàn)。FDY102PZMOS管廣泛應(yīng)用在便攜式設(shè)備、電池保護(hù)、邏輯電平轉(zhuǎn)換等場景，以小巧的體積和出色的性能，成為設(shè)計(jì)者們構(gòu)建高效電路的得力工具。

DMP2004TK

SOT-523

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個(gè)/圓盤

DMP2004TK是一款P溝道MOS管，采用迷你型SOT-523封裝，特別適用于對空間有限制的精密電路設(shè)計(jì)。該器件擁有卓越的電氣性能，最大工作電壓VDSS為20V，可承受0.7A連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻低至260mR，確保了低功耗下的高效能運(yùn)作。廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)模塊等領(lǐng)域的電源管理與邏輯電平轉(zhuǎn)換，DMP2004TK憑借其小巧體積與優(yōu)秀性能，成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想組件。

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