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SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN3033LSNQN溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供強勁動力支持。這款器件具備30V的高耐壓值(VDSS)，能在導(dǎo)通狀態(tài)下安全承載高達5.8A的大電流，且擁有出眾的低導(dǎo)通電阻特性——僅22mR(RD(on))。它非常適合應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、大電流電機驅(qū)動及其他對能效與穩(wěn)定性有較高要求的場合，是您提升系統(tǒng)性能、優(yōu)化能源利用的理想半導(dǎo)體器件之選。

RUE002N02

SOT-523

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

RUE002N02是一款采用精巧SOT-523封裝的高效能N溝道MOSFET，具備出色的電性參數(shù)。其工作電壓VDSS高達20V，連續(xù)通過電流ID高達0.8A，同時擁有超低導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為100mR，確保了器件在運行中的高效能與低損耗表現(xiàn)。這款MOS管非常適合應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換、電池保護、便攜式設(shè)備及消費電子產(chǎn)品的電路設(shè)計中，為您的產(chǎn)品帶來更強的功率管理和更高的能效比。

AO3485

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO3485型號P溝道MOS管，采用微型SOT-23-3L封裝設(shè)計，體積小巧，方便在緊湊型電子設(shè)備中布局。器件具有20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續(xù)電流ID承載能力，專為高效能、低功耗應(yīng)用打造。其34mR的導(dǎo)通電阻，確保在實際操作中實現(xiàn)較高的能源轉(zhuǎn)換效率。此款MOS管適用于各類電源開關(guān)、負載驅(qū)動和邏輯電平轉(zhuǎn)換場景，出廠前經(jīng)過嚴格質(zhì)量把控，確保在各類工況下都能展現(xiàn)卓越性能。

BSS816NWH6327XTSA1

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

BSS816NWH6327XTSA1是一款精密N溝道MOSFET，采用小型SOT-323封裝，專為緊湊型和高效能電子設(shè)計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，具備穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)，并具有49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了卓越的能源效率和低功耗表現(xiàn)。此款MOS管廣泛應(yīng)用在移動設(shè)備、電源管理、信號切換等對尺寸和效率要求高的電路中，是實現(xiàn)小型化、節(jié)能解決方案的關(guān)鍵元件。

FDN306P

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDN306PP溝道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封裝，專為高效率、低阻抗電路設(shè)計。器件亮點在于強大的電氣規(guī)格，最大工作電壓VDSS為20V，連續(xù)電流承載能力高達4.1A，且擁有超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為34mR，實現(xiàn)了卓越的電能轉(zhuǎn)化效率與快速響應(yīng)速度。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等應(yīng)用環(huán)境，F(xiàn)DN306P憑借其出色的性能表現(xiàn)與穩(wěn)定質(zhì)量，成為眾多電子設(shè)計工程師的理想之選。

DMG3420U

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG3420U是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達6A的連續(xù)漏極電流(ID)，其出色的22mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了卓越的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建緊湊、高效電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體元件。

ST3426

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

ST3426是N溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效空間利用設(shè)計。該器件規(guī)格出色，具有60V的最大穩(wěn)態(tài)電壓(VDSS)，額定電流高達3A，且導(dǎo)通電阻僅為80mΩ，確保了更低的功率損耗和更高的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電機驅(qū)動等場景，以其高性能、穩(wěn)定耐用的特性，成為您電子項目的理想組件選擇。

SM3415SRL

SOT-23-3L

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場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

SM3415SRL型號P溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23-3L封裝，適合在空間受限的電路板上使用。該器件提供20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續(xù)電流ID處理能力，特別適用于中低壓下的電源開關(guān)和負載驅(qū)動應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻僅有34mR，旨在增強系統(tǒng)效能，降低功耗。此MOS管在電源管理、邏輯電平轉(zhuǎn)換等方面表現(xiàn)出色，出廠前已通過嚴格品質(zhì)測試，確保在各應(yīng)用場合下發(fā)揮穩(wěn)定可靠性能。

PMV30UN2R

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

PMV30UN2R是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能和小型化電子設(shè)備設(shè)計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達6A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有優(yōu)秀的22mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在高電流應(yīng)用中也能保持低功耗和高效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建節(jié)能、緊湊型電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。

DMN2041L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2041L是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載6A的連續(xù)漏極電流(ID)，并配備22mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場景，是小型化、高效電子設(shè)備的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體元件。

DMG6968U

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG6968U是一款高效率N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為緊湊型和節(jié)能電子設(shè)備設(shè)計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達6A的連續(xù)漏極電流(ID)，其22mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了在低功耗條件下仍保持出色的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、電池保護電路等領(lǐng)域，是實現(xiàn)小型化、高性能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。

DMG3404L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG3404L是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化的SOT-23封裝，專為高效能電子設(shè)計。該器件具有30V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載高達5.8A的連續(xù)漏極電流(ID)，并擁有出色的低導(dǎo)通電阻特性，僅22mR(RD(on))。這款MOS管適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、大電流電機驅(qū)動及其它高功率應(yīng)用領(lǐng)域，致力于提升系統(tǒng)效率，降低能耗，是您設(shè)計中的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體組件選擇。

Si2338DS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2338DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合于高密度電路設(shè)計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備強大的電流承載能力，可持續(xù)處理5.8A漏極電流(ID)，且在導(dǎo)通狀態(tài)下具有極低的22mR導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效提升了功率轉(zhuǎn)換效率。此款MOS管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、以及其他高功率電子設(shè)備中，助力實現(xiàn)高效能、低損耗的系統(tǒng)方案。

FDN304PZ

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDN304PZ型號P溝道MOS管，采用經(jīng)濟高效的SOT-23-3L封裝形式，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求設(shè)計。器件擁有20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續(xù)電流ID處理能力，適用于多種功率控制應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻低至34mR，有助于提升系統(tǒng)效率，降低能耗。此款MOS管常用于電源開關(guān)、負載驅(qū)動、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，出廠前歷經(jīng)嚴格品質(zhì)檢驗，確保為用戶提供穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。

AO4466

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO4466N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，是一款專為高電流應(yīng)用設(shè)計的高效半導(dǎo)體器件。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定傳輸8.5A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻僅14mΩ，保證在大電流條件下仍能維持低功耗與高效率運行。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電路等領(lǐng)域，以其出色的電流承載能力和優(yōu)秀的電氣性能，為您的電路設(shè)計提供強有力的支持。

AON6566

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達80A。專為高效電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)設(shè)計，具備卓越的功率處理能力和散熱性能，是現(xiàn)代高功率電子設(shè)備的理想選擇。

MX4832S

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

本款消費級N+N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，集成雙通道技術(shù)，額定電壓30V，連續(xù)電流高達10A。專為高效電源轉(zhuǎn)換、負載均衡及電池管理系統(tǒng)設(shè)計，具有高集成度和能效表現(xiàn)，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品多通道控制需求。

IRFML8244TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款N溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，專為高效能、中高電流應(yīng)用設(shè)計。額定電壓30V，提供高達5.8A連續(xù)電流承載能力，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)，具有低導(dǎo)通電阻和卓越的熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率控制組件。

FDS9435A

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

FDS9435A型號MOS管，采用精良P溝道工藝制造，封裝形態(tài)為節(jié)省空間的SOP-8，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計服務(wù)。該器件擁有30V的額定電壓VDSS，可承載5A的強大連續(xù)漏極電流ID，且導(dǎo)通電阻RD(on)低至43mR，確保高效能、低損耗運行。此款MOS管廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、負載切換等場景，以其出色的電氣性能成為優(yōu)化系統(tǒng)效能的關(guān)鍵組件。

IRLML9303TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款P溝道消費級MOSFET采用SOT-23封裝，適用于30V電壓下的中等功率應(yīng)用。提供4.1A連續(xù)電流處理能力，特別優(yōu)化于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻及卓越的熱性能，是現(xiàn)代便攜式和緊湊型電子設(shè)備的理想功率控制組件。

IRLML9301TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款SOT-23封裝P溝道消費級MOSFET，專為高效能、中等電流應(yīng)用設(shè)計。額定電壓30V，具備4.1A連續(xù)電流處理能力，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)以及便攜式電子設(shè)備的功率控制模塊，提供低導(dǎo)通電阻和卓越的熱性能，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的核心半導(dǎo)體元件。

FDN337N

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23小型封裝，額定電壓30V，最大連續(xù)電流5A。具備低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換器及各類高效率電子系統(tǒng)中，提供穩(wěn)定可靠的功率管理解決方案。

FDN5630

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于60V電壓系統(tǒng)，具備3A大電流處理能力。具有低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率控制及轉(zhuǎn)換功能。

MX9435S

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款消費級P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，特別適合于30V電壓環(huán)境下的低電平驅(qū)動應(yīng)用。額定電流5A，具備卓越的開關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，適用于電池保護、負載切換和電源管理等場景。小巧尺寸，高效率設(shè)計，為電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的功率控制解決方案。

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