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SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2302DS是一款高效N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高能效和低功耗電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定承載2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了在低功耗下仍具有出色的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建小型化、節(jié)能型電子解決方案的理想半導(dǎo)體元件。

ST2302

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

ST2302是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效率和緊湊型電子設(shè)計(jì)。該器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承載2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其低至48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了在高能效運(yùn)作的同時降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)節(jié)能、小型化電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體組件。

Si2302CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2302CDS-T1-GE3型號MOS管采用微型SOT-23封裝，內(nèi)置先進(jìn)N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路效率而生。該器件工作在20V的漏源電壓(VDSS)下，可承載最大2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適合于中小功率應(yīng)用場合。尤為突出的是其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及低壓電子設(shè)備的開關(guān)電路中，是您提升產(chǎn)品性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。

BSC0702LSATMA1

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款消費(fèi)級MOSFET采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝，具備高效能N溝道設(shè)計(jì)，額定電壓高達(dá)60V，電流容量高達(dá)125A，專為各類高功率應(yīng)用打造，提供卓越的開關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，是您電子設(shè)備的理想選擇。

1N60G

SOT-223

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

4000個/圓盤

該消費(fèi)級MOSFET采用SOT-223封裝，具備N溝道特性，擁有600V的高耐壓及1A的連續(xù)電流處理能力，適用于各類中高壓電子設(shè)備，提供卓越的開關(guān)性能與低損耗

MX30P02DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，額定電壓20V，連續(xù)電流高達(dá)30A。專為高效、緊湊型電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制以及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供低導(dǎo)通電阻和卓越的熱性能，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需求。

CMD5950

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

此款P溝道消費(fèi)級MOSFET采用TO-252-2L封裝，特別優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)高電壓、大電流應(yīng)用。具有100V的額定電壓和30A連續(xù)工作電流能力，適用于各類電源開關(guān)、逆變器以及高效功率轉(zhuǎn)換場景，提供出色的導(dǎo)通性能與能效，是高性能電子設(shè)備的理想組件選擇。

BSS214NH6327

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款緊湊型N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為消費(fèi)電子產(chǎn)品中的低電壓、中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓20V，最大連續(xù)電流3A，適合于電源管理、負(fù)載開關(guān)以及移動設(shè)備的功率路徑控制，具備低導(dǎo)通電阻和高效能特點(diǎn)，是小型電子電路的理想選擇。

BSS806NEH6327

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用SOT-23封裝，專為低電壓、中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定耐壓20V，支持3A連續(xù)電流處理能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和高效能表現(xiàn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的優(yōu)質(zhì)功率管理組件。

DMG2301L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMG2301L是一款高效能P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，特別適合低功耗和緊湊型電子設(shè)計(jì)。產(chǎn)品關(guān)鍵特性包括耐壓等級VDSS高達(dá)20V，可承載2.3A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)了卓越的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至95mR，有效降低功耗并提升系統(tǒng)能效。DMG2301LMOS管憑借其出色的開關(guān)性能、小巧尺寸以及穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn)，廣泛應(yīng)用于電源切換、電池保護(hù)、便攜式設(shè)備電路設(shè)計(jì)等領(lǐng)域，是您設(shè)計(jì)中的理想半導(dǎo)體元件選擇。

SI2301CDS-T1-GE3

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

SI2301CDS-T1-GE3是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術(shù)，專為低功耗及高集成度設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括工作電壓VDSS高達(dá)20V，可承載2.3A連續(xù)漏極電流，提供出色的電力管理能力。導(dǎo)通電阻RD(on)僅為95mR，有效減少能源消耗，提升系統(tǒng)能效。SI2301CDS-T1-GE3MOS管憑借卓越的開關(guān)性能、小巧封裝尺寸及高穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)、便攜式電子設(shè)備等多元化場景，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

DMN63D8L

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN63D8L是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合空間有限的電路板設(shè)計(jì)。該器件工作電壓高達(dá)30V，提供精確的0.1A電流控制，具有1200mR導(dǎo)通電阻，適用于低功率應(yīng)用場合。廣泛應(yīng)用于電子開關(guān)、過流保護(hù)、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流管理和節(jié)能設(shè)計(jì)的理想選擇。

ST2305

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

ST2305是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于低電壓、低功耗應(yīng)用場合。器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，支持高達(dá)3A的連續(xù)漏極電流ID，確保在低壓系統(tǒng)中穩(wěn)定可靠運(yùn)行。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至60mΩ，有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效比。ST2305MOS管是電池供電設(shè)備、電源開關(guān)控制、負(fù)載驅(qū)動等領(lǐng)域的理想選擇，以出色的性能和小型化封裝服務(wù)于各類電子設(shè)計(jì)項(xiàng)目。

DMP2066LSN

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMP2066LSNP溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的現(xiàn)代電子應(yīng)用。器件特性卓越額定工作電壓VDSS為20V，可承載5A的連續(xù)漏極電流，確保在低壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行；30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)等場景，是您實(shí)現(xiàn)高集成度與節(jié)能設(shè)計(jì)的理想MOS管方案。

NTR3A30PZ

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

NTR3A30PZP溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，特別適應(yīng)于緊湊空間的電路設(shè)計(jì)需求。該器件關(guān)鍵參數(shù)如下最大工作電壓VDSS為20V，能提供5A的連續(xù)漏極電流，確保穩(wěn)定高效的電流傳導(dǎo)；30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效降低系統(tǒng)內(nèi)部功耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用在電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是您設(shè)計(jì)高集成度與節(jié)能電子產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)MOS管選擇。

RZE002P02TL

SOT-523

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

RZE002P02是一款P溝道MOSFET，采用超小型SOT-523封裝，專為便攜式和空間敏感型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件規(guī)格包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能夠承載0.7A的漏極電流(ID)，并具有260mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在低電壓、小電流應(yīng)用中展現(xiàn)優(yōu)秀性能。這款MOS管適合應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)電路、邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)效能和精簡空間的理想選擇。

NTD20N03L27

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

NTD20N03L27是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的VDSS電壓耐受能力，能夠承載高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)出卓越的電流處理性能。其亮點(diǎn)在于僅15mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，顯著提升能源效率并減少系統(tǒng)發(fā)熱。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換器、大電流開關(guān)電路、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是追求高效率、大電流應(yīng)用的理想半導(dǎo)體元件。

BSS816NW

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

BSS816NW是一款高性能N溝道MOSFET，采用微小型SOT-323封裝，特別適合于高密度電路板設(shè)計(jì)。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能提供穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)，其優(yōu)勢在于49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減小了功耗，提升了系統(tǒng)能效比。廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換、邏輯控制等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)小型化、節(jié)能電子產(chǎn)品的理想MOS管組件。

BSS214NWH6327

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

BSS214NWH6327是一款采用SOT-323封裝的高性能N溝道MOSFET，專為小型化和高能效電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，可持續(xù)提供2A的漏極電流(ID)，其特色在于49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低了功耗并提升了系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用在諸如移動設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換、邏輯控制等對尺寸和效率有較高要求的場景中，是理想的MOS管組件選擇。

IRLML6346TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于30V電壓下的中等電流應(yīng)用。提供5A連續(xù)電流處理能力，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻與高效能特點(diǎn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)的理想集成組件。

BSC028N06NS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

此款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具備強(qiáng)大的125A連續(xù)電流能力和60V額定電壓，專為高密度、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動場景，提供卓越的開關(guān)性能與能效，是現(xiàn)代高性能電子設(shè)備的理想核心組件。

FDMC8651

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

型號FDMC8651的N溝道MOS管，以緊湊型DFN3X3-8L封裝呈現(xiàn)，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化與高性能要求設(shè)計(jì)。此器件具備強(qiáng)大功能，額定電壓VDSS高達(dá)30V，可承載最大連續(xù)電流ID達(dá)到100A，保證在高負(fù)荷條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。其亮點(diǎn)在于僅有4mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提高了功率轉(zhuǎn)換效率，降低功耗，是電源管理、高速開關(guān)電路、馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域的理想選擇，助您輕松實(shí)現(xiàn)高效能的電路設(shè)計(jì)。

AON6360

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具有卓越的功率密度。額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)120A，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)，提供出色的散熱性能與電路集成度。

AON6312

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具有30V額定電壓和高達(dá)150A的連續(xù)電流處理能力。專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)，提供卓越功率密度與散熱性能。

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