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SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款SOP-8封裝的雙N溝道消費(fèi)級MOSFET，專為中等電壓、高效率應(yīng)用打造。額定電壓30V，每個通道可承載高達(dá)8.5A連續(xù)電流，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載共享和電池管理系統(tǒng)，提供低導(dǎo)通電阻及出色的熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想中的雙通道功率開關(guān)器件。

IRLML2402PBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

IRLML2402PbFN溝道MOS管，精巧封裝于SOT-23內(nèi)，以其卓越的電氣特性滿足您的高性能需求。此器件承受電壓高達(dá)20V（VDSS），能夠穩(wěn)定提供2.3A的漏極電流，且在導(dǎo)通狀態(tài)下展現(xiàn)極低的電阻值，僅48mR（RD(on)）。這款MOS管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、以及其他高效率電子系統(tǒng)中，憑借其強(qiáng)大的電流處理能力和優(yōu)異的能效表現(xiàn)，成為您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計的理想選擇。

IPD25DP06NM

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

這款TO-252-2L封裝的P溝道消費(fèi)級MOSFET，專為中等電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計。器件具有60V額定電壓和10A連續(xù)電流處理能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等場合，提供出色的導(dǎo)通性能與低損耗特性，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率管理的理想解決方案。

IRFR7546TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計。額定電壓60V，具備高達(dá)80A的連續(xù)電流承載能力，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及大功率開關(guān)電路，提供低導(dǎo)通電阻與高效能表現(xiàn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)卓越功率控制的理想之選。

Si2302ADS

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2302ADS型號MOS管采用了緊湊型SOT-23封裝，搭載高效N溝道技術(shù)，適于各類精密電子設(shè)計。此器件具備20V的漏源擊穿電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，在中小功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))意味著更低的能量損耗和更高的電路效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制和其他低壓開關(guān)電路，是提升系統(tǒng)性能與節(jié)能效果的理想選擇。

CSD25402Q3A

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

CSD25402Q3AP溝道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封裝，實(shí)現(xiàn)高效空間利用。本器件具備20V的額定電壓VDSS，能夠承受高達(dá)48A的連續(xù)漏極電流ID，彰顯出超強(qiáng)的電流處理能力。其核心優(yōu)勢在于超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7.5mΩ，顯著提升系統(tǒng)能效，減小功率損耗。這款MOS管廣泛適用于電源切換、電池保護(hù)等多種應(yīng)用場景，憑借卓越的性能表現(xiàn)與緊湊封裝設(shè)計，CSD25402Q3A成為了高功率密度應(yīng)用的理想半導(dǎo)體選擇。

IRF7809AVPBF

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

IRF7809AVPbF型號MOS管，采用SOP-8封裝設(shè)計，體積小巧，便于集成于緊湊型電子設(shè)備中。這款N溝道MOS管在30V的最大工作電壓下，能夠提供穩(wěn)定的15A電流輸出。其核心特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻低至7.5mR，有助于大幅度提升系統(tǒng)能效，減少功耗損失，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制及電機(jī)驅(qū)動等場合，是實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能解決方案的理想半導(dǎo)體器件。

Si2333DS

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

Si2333DS是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為緊湊型電子設(shè)備設(shè)計。其核心性能包括最大工作電壓VDSS為20V，可持續(xù)提供5A的漏極電流；而30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了在工作狀態(tài)下的低功耗與高效能表現(xiàn)。廣泛運(yùn)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您在實(shí)現(xiàn)高集成度和節(jié)能目標(biāo)時的理想MOS管組件。

IRF7821PBF

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

IRF7821PbF型號MOS管，采用緊湊型SOP-8封裝，專為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求設(shè)計。這是一款高性能N溝道MOS管，可在30V的最大工作電壓下，提供穩(wěn)定的15A電流承載能力。其關(guān)鍵特性在于7.5mR的超低導(dǎo)通電阻，極大提升了能源效率并減少功耗，廣泛運(yùn)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、大電流開關(guān)控制等領(lǐng)域，是您打造高效節(jié)能系統(tǒng)的核心半導(dǎo)體元件。

NTD2955

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

NTD2955是一款采用TO-252-2L封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高功率密度和高效能電子設(shè)備設(shè)計。具備60V的最大耐壓值(VDSS)，可承載高達(dá)10A的連續(xù)電流(ID)，并且在常態(tài)下導(dǎo)通電阻僅125mR(RD(on))，有效減少功率損耗，增強(qiáng)系統(tǒng)能效。此款MOS管結(jié)構(gòu)緊湊，性能優(yōu)越，是理想的電源開關(guān)、轉(zhuǎn)換器以及各類中低壓電路的理想選擇。

AO4803A

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

AO4803A是一款高性能P+P溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，適用于各類電子設(shè)備。該器件的關(guān)鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，能提供穩(wěn)定的5.3A漏極電流；其35mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)設(shè)計，有效降低系統(tǒng)功耗，實(shí)現(xiàn)高效能運(yùn)作。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)控制等領(lǐng)域，是您構(gòu)建高可靠性、節(jié)能型電子系統(tǒng)的理想MOS管選擇。

DMN2053UW

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

DMN2053UW是一款采用小型SOT-323封裝的高性能N溝道MOSFET，特別適用于對空間要求嚴(yán)格的電子設(shè)計。它具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，能穩(wěn)定承載2A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且擁有49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效確保了低功耗和高能效表現(xiàn)。這款MOS管廣泛應(yīng)用于手持設(shè)備、電源控制模塊、邏輯開關(guān)電路等場景，是小型化、節(jié)能型電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體組件。

BSS214NW

SOT-323

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

BSS214NW是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-323封裝，專為高集成度和節(jié)能應(yīng)用設(shè)計。該器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，能持續(xù)提供2A的漏極電流(ID)，其特點(diǎn)是擁有49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，在保證良好開關(guān)性能的同時，有效降低了功耗，提升了系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、電源管理、信號切換等需求小體積、高效率的電路中。

AON7400A

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

AON7400AN溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，結(jié)合了高效散熱與小巧體積設(shè)計。該器件性能強(qiáng)勁額定漏源電壓(VDSS)高達(dá)30V，可穩(wěn)定承載60A連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為6mΩ，確保了卓越的電力傳輸效率和低損耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)等高電流處理場景，是提升系統(tǒng)性能與節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。

DMN3008SFG

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

型號DMN3008SFG的MOS管是一款高效能N溝道半導(dǎo)體器件，采用節(jié)省空間的DFN3X3-8L封裝，特別適合于高密度電路板設(shè)計。它具備強(qiáng)大的電性參數(shù)，額定電壓VDSS高達(dá)30V，能夠承受持續(xù)電流ID高達(dá)100A，確保在大電流應(yīng)用場景下的穩(wěn)定性。尤為突出的是其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為4mΩ，有效降低能耗并大幅提升系統(tǒng)工作效率，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、快速開關(guān)等多元化領(lǐng)域，是您的理想電路解決方案。

AONR21321

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)50A。專為電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)設(shè)計，具有卓越的功率處理能力與緊湊體積，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備高效能與小型化需求。

MX2309I

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為60V電壓系統(tǒng)設(shè)計，提供高達(dá)2A的電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，確保電子設(shè)備高效穩(wěn)定的功率控制表現(xiàn)。

BSZ130N03LS G

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，專為高功率密度和中高電流應(yīng)用設(shè)計。額定電壓30V，可承載30A連續(xù)電流，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及緊湊型電子設(shè)備，提供卓越的導(dǎo)通性能與高效散熱，是現(xiàn)代電子系統(tǒng)理想的功率開關(guān)器件。

MX50P03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

此款消費(fèi)級P溝道MOSFET封裝于DFN5X6-8L，具備30V額定電壓及50A連續(xù)電流能力。專為高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換與電池管理系統(tǒng)設(shè)計，以緊湊尺寸實(shí)現(xiàn)卓越的功率處理性能，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對能效和空間利用率的需求。

MX80N03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，具有出色的功率密度和散熱性能。額定電壓為30V，連續(xù)電流高達(dá)80A，適用于空間有限的高功率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)卓越的能效與可靠性。

IRFR5305TRLPBF

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

此款消費(fèi)級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流高達(dá)30A，專為中高功率應(yīng)用設(shè)計。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及反向電流保護(hù)等領(lǐng)域，以高效能與穩(wěn)定性能，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對功率管理的嚴(yán)苛要求。

1N65G

SOT-223

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

4000個/圓盤

此款消費(fèi)級MOSFET采用緊湊型SOT-223封裝，內(nèi)部集成N溝道結(jié)構(gòu)，具備出色的耐壓性能（650V）和連續(xù)電流承載能力（1A），尤其適用于各類高壓、低功耗應(yīng)用場景

NTTFS015N04C

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓40V，最大連續(xù)電流50A。專為高效電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)打造，具備高功率密度與卓越散熱性能，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品理想的小型化解決方案。

SI2305

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該消費(fèi)級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計，額定電流5A。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中的功率控制與切換應(yīng)用，提供高效穩(wěn)定的解決方案。

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