場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOP-8封裝，集成N+P溝道結(jié)構(gòu)，額定電壓30V，最大連續(xù)電流6A。專為電池管理系統(tǒng)、AC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備優(yōu)秀的雙向開(kāi)關(guān)性能及低導(dǎo)通電阻特性，有效提升能源效率并確保在正負(fù)電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，是現(xiàn)代節(jié)能電子設(shè)備的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供高達(dá)6.5A的連續(xù)電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率控制需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N+P溝道MOSFET采用TO-252-4L封裝，額定電壓30V，具有高效能的20A電流處理能力。專為雙極性電源轉(zhuǎn)換與開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，提供卓越的系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性表現(xiàn)，是優(yōu)化電路的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOT-23封裝，額定電壓50V，電流承載能力0.5A。特別適用于電池保護(hù)、信號(hào)切換等低至中等電流應(yīng)用，憑借其出色的低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效的功率管理，是各類電子設(shè)備的理想組件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備60V高耐壓及10A電流處理能力。專為低壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理與轉(zhuǎn)換需求，提供高效、低損耗的系統(tǒng)解決方案。
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這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET封裝為SOT-323，具有60V高擊穿電壓及0.1A電流容量，特別適合于低功耗電子設(shè)備的電源管理與精準(zhǔn)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其微型尺寸與高效性能相結(jié)合，提供理想的電路設(shè)計(jì)解決方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-323封裝，具備N溝道特性，額定電壓高達(dá)30V，電流容量為0.1A，適用于各類小型電子設(shè)備，提供高效、穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)與功率轉(zhuǎn)換性能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用極緊湊DFN3X3-8L封裝，具備強(qiáng)大功率處理能力。額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)100A，專為高效能、小體積電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)卓越的電流承載與空間利用率。
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這款高性能N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊DFN5X6-8L封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓30V，具備150A強(qiáng)大連續(xù)電流承載能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，提供卓越的導(dǎo)通性能和散熱效果，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效能功率管理的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMG1013TP溝道MOS管采用精巧的SOT-523封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。器件最大工作電壓VDSS為20V，持續(xù)電流承載能力高達(dá)0.7A，具備優(yōu)秀的260mR導(dǎo)通電阻，確保低功耗下的高效能運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、電池管理、低電壓系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制等場(chǎng)景，DMG1013T憑借其卓越的電氣性能與小巧封裝，成為電路設(shè)計(jì)中節(jié)省空間與提升效率的理想選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
AO3401A是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封裝，適合空間有限的電路設(shè)計(jì)。器件參數(shù)強(qiáng)大，最大漏源電壓VDSS為30V，可承載高達(dá)4.2A的連續(xù)漏極電流ID，且具有45mR的導(dǎo)通電阻RD(on)，在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)秀，低導(dǎo)通電阻確保了高效能與低功耗。廣泛應(yīng)用在電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)和各類電子設(shè)備的低電壓、中等電流開(kāi)關(guān)控制中。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)18A。專為高效能電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備卓越的散熱性能與小尺寸優(yōu)勢(shì)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率管理組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
該款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，適用于20V電壓系統(tǒng)，具備5A大電流處理能力。憑借其卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率控制與切換功能。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為處理高耐壓、中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。具備650V的卓越擊穿電壓和10A連續(xù)工作電流，尤其適用于高壓開(kāi)關(guān)電路、電源轉(zhuǎn)換器及逆變器系統(tǒng)，提供高效可靠的功率管理解決方案，是您提升電子設(shè)備性能的理想之選。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為中高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定擊穿電壓100V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)30A，特別適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，提供卓越的導(dǎo)通性能與能效表現(xiàn)，是構(gòu)建高性能電子系統(tǒng)的理想功率半導(dǎo)體器件選擇。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMG2302U型號(hào)MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內(nèi)含先進(jìn)N溝道技術(shù)，為提升電路效率精心設(shè)計(jì)。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，在正常工作狀態(tài)下可承載2.3A連續(xù)漏極電流(ID)，適用于各類中小功率應(yīng)用。其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))有效降低了功耗，提高了能源使用效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及各類低壓電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)電路，是提升產(chǎn)品性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款高性能P溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用小巧的SOP-8封裝，專為高效率功率轉(zhuǎn)換與大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供30V額定電壓及高達(dá)15A的連續(xù)電流處理能力，適合于緊湊型電子設(shè)備中的電源管理、負(fù)載切換等場(chǎng)合，實(shí)現(xiàn)卓越的系統(tǒng)能效和可靠性。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，提供高達(dá)120A的連續(xù)電流處理能力。專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)卓越的散熱性能與高效能表現(xiàn)。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
此款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，具有40V的額定電壓和高達(dá)14A連續(xù)電流。專為中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，提供緊湊尺寸與卓越性能表現(xiàn)，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備高效節(jié)能需求。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IRF7241PbF是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高電流、高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供40V的漏源電壓(VDSS)，在14mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，可承載高達(dá)13A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，憑借其強(qiáng)大的電流處理能力和出色的能效表現(xiàn)，成為您優(yōu)化系統(tǒng)性能和降低能耗的理想半導(dǎo)體組件。
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型號(hào)IRF7341PbF的N+N溝道MOS管采用SOP-8封裝，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大工作電壓VDSS高達(dá)60V，連續(xù)電流ID能力為6.5A，勝任高壓大電流環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。導(dǎo)通電阻RD(on)低至32mR，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域，是工程師追求高性能、節(jié)能解決方案的理想MOS管選擇。
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此款SMB封裝的Bi雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管，適用于26V電壓系統(tǒng)，提供全面的正負(fù)向過(guò)壓防護(hù)。在瞬態(tài)事件中可承受高達(dá)14.3A峰值脈沖電流，具備快速響應(yīng)和高效鉗位性能，有效防止雷擊、靜電等瞬變現(xiàn)象對(duì)電子設(shè)備造成損害，是中高電壓環(huán)境的理想雙向浪涌保護(hù)器件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
IRF8721PbF型號(hào)MOS管，采用小巧的SOP-8封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)。該N溝道MOS管可在30V的最大電壓下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)15A的連續(xù)電流承載能力。其關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)為7.5mR的超低導(dǎo)通電阻，顯著提升能源效率并減少功率損耗，適用于電源轉(zhuǎn)換、大電流開(kāi)關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多種高效率應(yīng)用場(chǎng)景，是構(gòu)建高效節(jié)能系統(tǒng)的理想半導(dǎo)體組件。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
DMN4026SSD是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效能電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件提供40V的額定電壓VDSS，最大連續(xù)電流ID可達(dá)12A，表現(xiàn)出卓越的電力控制能力。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為16mΩ，有助于顯著降低系統(tǒng)功耗，提升整體能效。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制及中等電流驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，DMN4026SSD是您實(shí)現(xiàn)高效、可靠電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體組件。
