影音先锋2018年在线琪琪,做暖暖的视频试看3分钟,青青在线视频免费2023,2021国偷自产一区,三级小说在线观看视频,2017国产精品视频

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝技術(shù)，額定電壓100V，具備5A大電流處理能力。擁有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場合，提供高效能與穩(wěn)定的功率控制解決方案。

9926A

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此消費級MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，內(nèi)置雙N溝道設(shè)計，專為優(yōu)化電源管理打造。額定電壓20V，最大連續(xù)電流6A，適用于各類中低電壓、高效率開關(guān)應(yīng)用。卓越的導(dǎo)通性能與低RDS(ON)，使之成為充電器、LED驅(qū)動、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的理想選擇。

HS2198

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款消費級N+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，具備40V額定電壓和7.2A高連續(xù)電流處理能力。專為高效雙向電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)設(shè)計，適用于多種消費電子產(chǎn)品。集成雙極性通道實現(xiàn)正負電壓控制，低導(dǎo)通電阻與卓越的開關(guān)性能相結(jié)合，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠且節(jié)能。

BSS84AK

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為50V電壓應(yīng)用設(shè)計，額定電流0.1A。具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，尤其適用于需要精細功率控制的場合，如電池保護、信號切換等，提供高效穩(wěn)定的半導(dǎo)體解決方案。

NX7002AK

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

NX7002AK是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效、小型化電路設(shè)計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其獨特之處在于具有低至1000mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低系統(tǒng)能耗并提升工作效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制、電機驅(qū)動等多個領(lǐng)域，是您追求高性價比和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件。

AO3416A

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

這款N溝道消費級MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為20V電壓下中等電流應(yīng)用設(shè)計。額定連續(xù)電流高達6A，適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和卓越的熱性能，是現(xiàn)代便攜式電子設(shè)備的理想功率管理組件。

AO3415A

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該P溝道消費級MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為20V電壓下的高效能應(yīng)用設(shè)計。額定連續(xù)電流5A，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電池保護和負載開關(guān)控制，具備低導(dǎo)通電阻與優(yōu)良熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想的低電壓功率管理元件。

IRLML6244TRPBF

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用高效SOT-23封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計，具備6A高連續(xù)電流承載能力。擁有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電設(shè)備、電源管理及各類高性能電子應(yīng)用中，提供穩(wěn)定且節(jié)能的功率轉(zhuǎn)換解決方案。

MX50N03DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封裝，具有出色的功率密度。額定電壓30V，連續(xù)電流高達50A，特別適合于緊湊空間內(nèi)的高效電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場合，提供卓越的性能與可靠性。

SI9945BDY-T1

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款SOP-8封裝的消費級雙N溝道MOSFET，專為高耐壓、大電流應(yīng)用設(shè)計，額定電壓60V，連續(xù)通過電流高達6.5A。卓越的開關(guān)效能與低導(dǎo)通電阻使其成為充電器、電源模塊和高效能電子設(shè)備的理想選擇，確保在各種電源轉(zhuǎn)換場景下實現(xiàn)可靠且節(jié)能的性能表現(xiàn)。

AO3400

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此款消費級MOSFET采用緊湊型SOT-23-3L封裝，具有高效能N溝道設(shè)計，額定電壓30V，最大連續(xù)電流5.8A，適用于各類電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用場合，以其卓越的性能與小巧體積，為電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的功率管理方案。

AO4612

SOP-8

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

此消費級N+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為處理60V電壓下的正負極性切換而設(shè)計，提供5A連續(xù)電流能力。適用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域，具有雙通道結(jié)構(gòu)和優(yōu)越的開關(guān)性能，確保低導(dǎo)通電阻與高效能運作，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率控制組件。

IRFB4410ZPBF

TO-220

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

50個/圓盤

這款TO-220封裝的N溝道消費級MOSFET，專為處理高電壓、大電流應(yīng)用場景設(shè)計。額定電壓100V，能承載70A連續(xù)電流，適合于電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動及各類高壓負載開關(guān)應(yīng)用，提供低導(dǎo)通電阻和卓越的散熱性能，是構(gòu)建高效能電子系統(tǒng)時的理想功率半導(dǎo)體器件。

HT7202

TOLL

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用大電流封裝TOLL，具備80V的額定電壓和高達400A的連續(xù)電流處理能力，專為高功率應(yīng)用設(shè)計。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及大型負載開關(guān)場景

BSC098N10NS5

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具備卓越的散熱性能。額定電壓100V，連續(xù)電流高達80A，特別適用于空間受限且需高效能電源轉(zhuǎn)換、大電流負載控制及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場合，提供強大的功率處理能力和高可靠性。

AON7430

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，體積小巧且高效能，額定電壓30V，連續(xù)電流高達30A。適用于空間有限的電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)應(yīng)用，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供緊湊、高功率密度的半導(dǎo)體解決方案。

MX70N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達70A。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)，憑借其卓越的功率密度與散熱性能，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高電流處理能力的需求。

MX20P06DF

DFN-8L(3x3)

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

5000個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET采用DFN3X3-8L封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流高達20A。專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計，適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，提供卓越的能效比與空間利用率。

STD20NF06L

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

型號STD20NF06L的N溝道MOS管，選用經(jīng)典的TO-252-2L封裝形式，適合各類電路設(shè)計需求。該器件具備60V的高額定電壓VDSS和20A的強大電流承載能力，可在高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為27mΩ，有效提升功率轉(zhuǎn)換效率，降低功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、高頻開關(guān)等領(lǐng)域，是您實現(xiàn)高效能電子設(shè)備設(shè)計的理想半導(dǎo)體元器件。

MX20N10D

TO-252-2L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

2500個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓100V，峰值電流可達20A，適用于高功率電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等應(yīng)用場合，提供高效能、低損耗的開關(guān)控制功能。

IRLML6401

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為20V電壓系統(tǒng)設(shè)計，提供高達5A的連續(xù)電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，適用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中的高效功率控制與切換需求。

MX2305AI

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級P溝道MOSFET采用SOT-23封裝，專為20V系統(tǒng)設(shè)計，提供5A大電流處理能力。具備低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換及各類電子設(shè)備中，實現(xiàn)高效能、穩(wěn)定可靠的功率控制。

MX3400MI

SOT-23-3L

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用SOT-23-3L封裝，適用于30V電壓系統(tǒng)，額定電流高達5.8A。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，為電子設(shè)備提供高效、穩(wěn)定的功率控制解決方案。

BSS138K

SOT-23

MXsemi

場效應(yīng)管(MOSFET)

3000個/圓盤

該款消費級N溝道MOSFET采用小型SOT-23封裝，專為50V電壓系統(tǒng)設(shè)計，提供精細的0.2A電流控制。具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電池保護、智能設(shè)備及各類小電流電子應(yīng)用中，實現(xiàn)高效且精確的功率管理。

国产亚洲精品已满十八,2022在线自偷自拍,2025年午夜福利视频,国产欧美久久久精品图,2019中文字字幕23页,池袋搭讪贵妇人妻中文字幕